STP5NK100Z, Транзистор полевой N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 1KV 3.5A TO-220

Транзистор полевой N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт
Код товара: 242046
Дата обновления: 26.04.2024 16:10
Цена от: 239,37 руб.
Доставка STP5NK100Z , Транзистор полевой N-канальный 1KВ 3.5А 125Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220AB
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    50 шт
  • Вес брутто
    2.91 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание STP5NK100Z

The STP5NK100Z is a SuperMESH3™ N-channel Power MOSFET features minimized gate charge. This new SuperMESH™ Power MOSFET is the result of further design improvements on ST's well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower ON-resistance, the device offers superior dV/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ device further complements an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.

• Extremely high dV/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Very good manufacturing repeatability

EU RoHSCompliant with Exemption
ECCN (US)EAR99
Part StatusActive
HTS8541.29.00.95
Product CategoryPower MOSFET
ConfigurationSingle
Process TechnologySuperMESH
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage (V)1000
Maximum Gate Source Voltage (V)±30
Maximum Continuous Drain Current (A)3.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3700@10V
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)42@10V
Typical Gate Charge @ 10V (nC)42
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1154@25V
Maximum Power Dissipation (mW)125000
Typical Fall Time (ns)19
Typical Rise Time (ns)7.7
Typical Turn-Off Delay Time (ns)51.5
Typical Turn-On Delay Time (ns)22.5
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Operating Temperature (°C)150
PackagingTube
AutomotiveNo
Pin Count3
Supplier PackageTO-220
Standard Package NameTO-220
MilitaryNo
MountingThrough Hole
Package Height9.15(Max)
Package Length10.4(Max)
Package Width4.6(Max)
PCB changed3
TabTab
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г2.8