Наконец-то свершилось: MOSFET-транзисторы STMicroelectronics с выгодой до 76%
Разработки в сфере современной полупроводниковой силовой электроники не стоят на месте и так же как цифровые микросхемы и микроконтроллеры развиваются. В своем развитии силовые электронные устройства требуют возможности реализации более мощных устройств в меньших габаритах. MOSFET-транзисторы одни из важных компонентов, преобразующих энергию в изделиях силовой электроники, поэтому к ним предъявляются требования по низким потерям на переключение, высоким скоростям переключения, эффективному рассеянию излишнего тепла.
STMicroelectronics мировой лидер в производстве MOSFET-транзисторов постоянно стремится совершенствоваться в технологиях производства. Линейка транзисторов этого производителя представлена p- и n-канальными транзисторами на высокие рабочие напряжения до значения 1500В с низкими значениями затворной емкости и сопротивления канала в открытом состоянии. Корпуса представлены широким рядом.
Последние передовые технологии MOSFET-транзисторов от компании STMicroelectronics:
Технология MDmesh
Транзисторы, выполненные в соответствии с технологией MDmesh (Multiple Drain mesh) основаны на большом количестве вертикальных Р структур стока. За счет этого обеспечивается низкое значение сопротивления открытого канала сток-исток и высокий показатель скорости переключения. Данные преимущества дают возможность широкого применения транзисторов в импульсных источниках питания малой и средней мощности, где канал с низким сопротивлением и высокими динамическими характеристиками помогают увеличить эффективность работы источника питания и при этом уменьшить размер теплоотвода и соответственно уменьшить конструкцию в целом.
Характеристики транзисторов выполненных по технологии MDmesh - серия M5:
- Рабочее напряжение: 600 -650 В
- Рабочий ток: 8,5 - 69 А
- Сопротивление открытого канала: 0,07 - 0,198 Ом
Технология Zener-protected SuperMESH™
Технология SuperMESH™ достигнута улучшением и оптимизацией технологии PowerMESH™ основанная на полосковом расположении, кроме улучшенного значения сопротивления канала устройства выполненные по технологии SuperMESH™ обладают высоким значением dv/dt.
Во многих приложениях силовой электроники, таких как сварочные инверторы, системы индукционного нагрева необходимо защищать затвор транзистора от статических разрядов и выбросов напряжения. Для защиты применяют защитные стабилитроны, подключаемые между затвором и «землей» и затвором, и шиной питания. Специально для таких приложений компания STMicroelectronics выпустила серию высоковольтных транзисторов со встроенными защитными элементами. Такие транзисторы полностью защищены от статических разрядов и выбросов напряжения в цепи затвора, которые могут являться следствием переходных процессов.
Характеристики транзисторов выполненных по технологии Zener-protected SuperMESH™- серия Z :
- Рабочее напряжение: 400 -1000 В
- Рабочий ток: 4,4 - 10,5 А
- Сопротивление открытого канала: 0,65 - 6,25 Ом
Технология STripFET2
Для построения высокоэффективных, высокочастотных синхронных понижающих DC/DC преобразователей востребованы низковольтные транзисторы с очень низким зарядом затвора. Применяются такие преобразователи в мобильных устройствах, телекоммуникационном оборудовании, материнских платах промышленных компьютеров. Специально для таких применений компания STMicroelectronics выпустила серию транзисторов STripFET2. В отличие от похожей технологии Trench, применяемую такими производителями как INF и IRF технология STripFET2 позволяет получить транзисторы с лучшим соотношением малого заряда затвора и низкого сопротивления канала.
Характеристики транзисторов выполненных по технологии STripFET2 - серия NF:
- Рабочее напряжение: 30 -200 В
- Рабочий ток: 15 - 120 А
- Сопротивление открытого канала: 0,0032 - 0,115 Ом
STW12NK80Z
Транзистор полевой N-канальный 800В 10.5А 190Вт
STW77N65M5
Транзистор полевой N-канальный 650В 69А 400Вт
STP140NF75
Транзистор полевой N-канальный 75В 120A
STB23NM50N
Транзистор полевой N-канальный 500В 17A
STP7NK40Z
Транзистор полевой N-канальный 400В 5.4А 70Вт
STW13N95K3
Транзистор полевой N-канальный 950В 10А 190Вт
STN3N40K3
Транзистор полевой N-канальный 400В 1.8A
STD6N52K3
Транзистор полевой N-канальный 525В 5A
STP5NK50ZFP
Транзистор полевой N-канальный 500В 4.4А 25Вт
- Абакан
- Анадырь
- Архангельск
- Астрахань
- Барнаул
- Белгород
- Биробиджан
- Благовещенск
- Брянск
- Великий Новгород
- Владивосток
- Владикавказ
- Владимир
- Волгоград
- Вологда
- Воронеж
- Горно-Алтайск
- Грозный
- Екатеринбург
- Иваново
- Ижевск
- Иркутск
- Йошкар-Ола
- Казань
- Калининград
- Калуга
- Кемерово
- Киров
- Кострома
- Краснодар
- Красноярск
- Курган
- Курск
- Кызыл
- Липецк
- Магадан
- Магас
- Майкоп
- Махачкала
- Москва
- Мурманск
- Нальчик
- Нарьян-Мар
- Нижний Новгород
- Новосибирск
- Омск
- Орёл
- Оренбург
- Пенза
- Пермь
- Петрозаводск
- Петропавловск-Камчатский
- Псков
- Ростов-на-Дону
- Рязань
- Салехард
- Самара
- Санкт-Петербург
- Саранск
- Саратов
- Смоленск
- Ставрополь
- Сыктывкар
- Тамбов
- Тверь
- Томск
- Тула
- Тюмень
- Улан-Удэ
- Ульяновск
- Уфа
- Хабаровск
- Ханты-Мансийск
- Чебоксары
- Челябинск
- Черкесск
- Чита
- Элиста
- Южно-Сахалинск
- Якутск
- Ярославль
This site is protected by reCAPTCHA and the Google
Privacy Policy and Terms of Service apply.