8 800 1000 321 - контакт центр

Наконец-то свершилось: MOSFET-транзисторы STMicroelectronics с выгодой до 76% - Лента новостей


Наконец-то свершилось: MOSFET-транзисторы STMicroelectronics с выгодой до 76%

20.10.2017

Разработки в сфере современной полупроводниковой силовой электроники не стоят на месте и так же как цифровые микросхемы и микроконтроллеры развиваются. В своем развитии силовые электронные устройства требуют возможности реализации более мощных устройств в меньших габаритах. MOSFET-транзисторы одни из важных компонентов, преобразующих энергию в изделиях силовой электроники, поэтому к ним предъявляются требования по низким потерям на переключение, высоким скоростям переключения, эффективному рассеянию излишнего тепла.    

STMicroelectronics мировой лидер в производстве MOSFET-транзисторов постоянно стремится совершенствоваться в технологиях производства. Линейка транзисторов этого производителя представлена p- и n-канальными транзисторами на высокие рабочие напряжения до значения 1500В с низкими значениями затворной емкости и сопротивления канала в открытом состоянии. Корпуса представлены широким рядом.

Последние передовые технологии MOSFET-транзисторов от компании STMicroelectronics:  

 Технология MDmesh 

Структура MDmesh MOSFET

Транзисторы, выполненные в соответствии с технологией MDmesh (Multiple Drain mesh) основаны на большом количестве вертикальных Р структур стока. За счет этого обеспечивается низкое значение сопротивления открытого канала сток-исток и высокий показатель скорости переключения. Данные преимущества дают возможность широкого применения транзисторов в импульсных источниках питания малой и средней мощности, где канал с низким сопротивлением и высокими динамическими характеристиками помогают увеличить эффективность работы источника питания и при этом уменьшить размер теплоотвода и соответственно уменьшить конструкцию в целом.

 Характеристики транзисторов выполненных по технологии MDmesh - серия M5: 

  • Рабочее напряжение: 600 -650 В
  • Рабочий ток: 8,5 - 69 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,07 - 0,198 Ом

Технология Zener-protected SuperMESH™

Технология SuperMESH™ достигнута улучшением и оптимизацией технологии PowerMESH™ основанная на полосковом расположении, кроме улучшенного значения сопротивления канала устройства выполненные по технологии SuperMESH™ обладают высоким значением dv/dt.

Во многих приложениях силовой электроники, таких как сварочные инверторы, системы индукционного нагрева необходимо защищать затвор транзистора от статических разрядов и выбросов напряжения. Для защиты применяют защитные стабилитроны, подключаемые между затвором и «землей» и затвором, и шиной питания. Специально для таких приложений компания STMicroelectronics выпустила серию высоковольтных транзисторов со встроенными защитными элементами. Такие транзисторы полностью защищены от статических разрядов и выбросов напряжения в цепи затвора, которые могут являться следствием переходных процессов. 

Характеристики транзисторов выполненных по технологии Zener-protected SuperMESH™-  серия Z :

  • Рабочее напряжение: 400 -1000 В
  • Рабочий ток: 4,4 - 10,5 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,65 - 6,25 Ом

Технология STripFET2 

Для построения высокоэффективных, высокочастотных синхронных понижающих DC/DC преобразователей востребованы низковольтные транзисторы с очень низким зарядом затвора. Применяются такие преобразователи в мобильных устройствах, телекоммуникационном оборудовании, материнских платах промышленных компьютеров. Специально для таких применений компания STMicroelectronics выпустила серию транзисторов STripFET2. В отличие от похожей технологии Trench, применяемую такими производителями как INF и IRF технология STripFET2 позволяет получить транзисторы с лучшим соотношением малого заряда затвора и низкого сопротивления канала. 

Характеристики транзисторов выполненных по технологии STripFET2 -  серия NF:

  • Рабочее напряжение: 30 -200 В
  • Рабочий ток: 15 - 120 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,0032 - 0,115 Ом
  Наименование   Краткое описание Корпус Производитель Наличие Скидка Оптовая цена со скидкой, руб.
Одиночные MOSFET транзисторы
STP9NK60Z Полевой транзистор, 600 В, 9 А TO-220 STM 2044 34% 29.00 руб.
STP19NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 15 А, 0.15 Ом TO-220 STM 1517 66% 7.40 руб.
STW12NK80Z Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 10.5 А, 190 Вт TO-247-3 STM 570 19% 116.64 руб.
STW77N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 69 А TO-247-3 STM - 85% 355.25 руб.
STP21N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 17 А, 125 Вт TO-220 STM 760 52% 83.19 руб.
STP200NF03 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 120 А TO-220 STM 128 78% 24.53 руб.
STB40NF10T4 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 50 А D2PAK/TO263 STM 838 33% 27.39 руб.
STP140NF75 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А TO-220 STM 789 37% 50.75 руб.
STB32N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 24 А, 0.119 Ом D2PAK/TO263 STM 821 86% 58.00 руб.
STB35N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 27 А, 0.098 Ом D2PAK/TO263 STM 874 33% 106.49 руб.
STB18N55M5 Полевой транзистор, N-канальный, 550 В, 14 А, 0.240 Ом D2PAK/TO263 STM 334 33% 24.65 руб.
STI12N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 8.5 А, 0.430 Ом I2PAK STM 61 33% 20.52 руб.
STI16N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 А, 0.299 Ом I2PAK STM 78 33% 24.65 руб.
STI21N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 17.5 А, 0.199 Ом I2PAK STM 99 33% 36.87 руб.
STI35N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 27 А, 0.098 Ом I2PAK STM 98 33% 68.82 руб.
STI42N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 33 А, 0.079 Ом I2PAK STM 54 33% 78.61 руб.
STD150N3LLH6 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 А, 2.8 мОм DPAK/TO252 STM 1169 57% 25.38 руб.
STP200NF04 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 120 А TO-220 STM 3512 74% 22.51 руб.
STD20NF06LT4 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 24 А, 0.032 Ом, 60 Вт DPAK/TO252 STM 4029 51% 14.73 руб.
STB11N52K3 Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 10 А D2PAK/TO263 STM 858 33% 12.57 руб.
STB120NF10T4 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 110 А D2PAK/TO263 STM 841 77% 20.46 руб.
STB23NM50N Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 17 А D2PAK/TO263 STM 2045 9% 65.25 руб.
STB270N4F3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А D2PAK/TO263 STM 559 58% 55.83 руб.
STB34NM60ND Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 29 А D2PAK/TO263 STM 899 33% 61.47 руб.
STB75NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 75 А D2PAK/TO263 STM - 47% 52.20 руб.
STD2NK100Z Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В DPAK/TO252 STM 1935 74% 8.52 руб.
STD45NF75T4 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 40 А DPAK/TO252 STM 2277 74% 17.26 руб.
STD60N55F3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 65 А DPAK/TO252 STM 2133 82% 10.35 руб.
STD65N55F3 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 65 А DPAK/TO252 STM 1859 73% 22.70 руб.
STP14NF10 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 15 А TO-220 STM 2339 65% 7.61 руб.
STP260N6F6 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 120 А TO-220 STM 605 62% 27.76 руб.
STP2N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В TO-220 STM 2140 33% 5.74 руб.
STP3LN62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В TO-220 STM 2949 33% 10.49 руб.
STP40NF20 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 40 А TO-220 STM 1064 3% 71.99 руб.
STP7NK40Z Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 5.4 А TO-220 STM 2810 83% 4.41 руб.
STW13N95K3 Полевой транзистор, N-канальный, 950 В, 10 А, 190W TO-247-3 STM 159 71% 40.59 руб.
STW17N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В TO-247-3 STM 154 33% 84.38 руб.
STB20NK50Z Полевой транзистор, N-канальный, 500В 17А 190Вт D2PAK/TO263 STM 645 33% 110.63 руб.
STN3N40K3 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 1.8 А SOT-223 STM 480 26% 21.75 руб.
STR2N2VH5 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В SOT-23 STM 291 33% 17.76 руб.
STL12N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В PowerFlat[тм] (5x6) STM 285 33% 46.59 руб.
STL130N8F7 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 130 А, 0.0046 Ом PowerFlat[тм] (5x6) STM 211 49% 47.83 руб.
STL13N60M2 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10 А PowerFlat[тм] (8x8) HV STM 285 33% 40.32 руб.
STL140N4LLF5 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 140 А PowerFlat[тм] (5x6) STM 248 33% 35.03 руб.
STL22N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В PowerFlat[тм] (8x8) HV STM 229 33% 90.26 руб.
STL3P6F6 Полевой транзистор, -60 В PowerFLAT 3.3x3.3 STM 252 33% 9.70 руб.
STL40N75LF3 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 40 А PowerFlat[тм] (5x6) STM 265 33% 26.36 руб.
STL6N3LLH6 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В PowerFLAT 2x2 STM 287 33% 12.52 руб.
STL70N4LLF5 Полевой транзистор, 40 В, 70 А PowerFlat[тм] (5x6) STM 2628 51% 19.58 руб.
STL80N75F6 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 80 А PowerFlat[тм] (5x6) STM 297 33% 40.67 руб.
STD3NM60N Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 3.3 А DPAK/TO252 STM 17 33% 13.42 руб.
STD6N52K3 Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 5 А DPAK/TO252 STM 2371 47% 16.65 руб.
STF19NM50N Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 А, 30 Вт TO-220FP STM 61 33% 73.67 руб.
STP95N4F3 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 А TO-220 STM 271 33% 42.88 руб.
STP5NK50ZFP Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 4.4 А, 25 Вт TO-220FP STM 511 26% 21.14 руб.
STW26NM60-H Полевой транзистор, N-канальный, 600В 20А 140Вт TO-247-3 STM 51 33% 212.12 руб.

Продукцию компании  Вы можете заказать, сделав заявку:

  • через Интернет-магазин на сайте www.promelec.ru компании "Промэлектроника";
  • по электронному почтовому адресу order@promelec.ru;
  • с помощью мобильного приложения Promelec;
  • по факсу (343) 245-33-28;
  • связавшись с нами по телефону: (343) 372-92-27;
  • в любом из наших филиалов;
  • по единому телефону отдела продаж: 8 800 1000 321.

Последние новости - одной лентой: 


сообщение об ошибке