Новые поступления компонентов компании "Fairchild Semiconductor"
01.08.2008
Меньше энергопотребление. Лучше характеристики. Больше возможностей
| Наименование | Краткое описание | Корпус | Оптовая цена*, руб. | Минимальная оптовая партия, шт. |
| Диоды импульсные | ||||
| BAV23S | Диод х2 250В/ 200мА/50нс | SOT23 | 0,80 | 3000 |
| FDLL4148 | Диод 100В/200 мА/4 нс | Minimelf/DO-213AA/SO | 0,26 | 5000 |
| FFA30U60DNTU | Диод х2 600В/30А общий катод, быстродействующий trr=90 нс | TO3P | 51,51 | 150 |
| FFP10U60DNTU | Диод х2 600В/10А общий катод, быстродействующий trr=90 нс | TO220 | 19,63 | 500 |
| RHRP30120 | Диод 1200В/30А/75нс Hyperfast with Soft Recovery | TO220 | 36,04 | 250 |
| Микросхемы | ||||
| FAN7361M | Драйвер верхнего ключа. Uсм=600В, Uвых=-9/18В, Iвых=0.2/0.5A, Uвых в фазе с Uвх, повышенная помехоустойчивость | SOP8 | 16,81 | 300 |
| FAN7554D | ШИМ-контроллер Uпит. - 15...30В, Iвых=1А, 500 кГц, 0,5%, встроенная защита от перегрева, перегрузки и перенапряжения | SOP8 | 12,06 | 475 |
| FSCQ0565RTYDTU | SMPS для квазирезонансных источников питания. 650В, 5A | TO220F/5 | 46,92 | 100 |
| FSCQ1265RTYDTU | SMPS для квазирезонансных источников питания. 650В, 11A | TO220F/5 | 50,87 | 100 |
| FSFR2100 | ШИМ-контроллер со встроенным ключом 600 В(FPS) 350-400В/11А/450Вт, для полумостовых резонансных инверторов | SIP9 | 144,27 | 95 |
| FAN4855MTC | Cтаб. напр. импульсный для DC/DC преобразователей Uвх=1.6...4.5В/Uвых.=3...5В 500 мА -40...+85 С, высокий КПД | TSSOP8 | 30,23 | 200 |
| KA319 | Компаратор x2 t=80нс Uoffset=2 mV Ibias=150 nA Gain=40000 Iout=25mA 0...+70C | DIP14 | 8,20 | 270 |
| Оптоэлектроника | ||||
| FOD3180 | Высокоскоростной оптодрайвер MOSFET 2,5А / 200нс / Uпит.=10:20В/ Uизол.=5000В | DIP8 | 36,62 | 1000 |
| 6N136 | Опто логический выход >2.5kV 1Mbit/s CTR=19...50% +55...+100C | DIP8 | 11,45 | 500 |
| 6N136S | Опто логический выход >2.5kV 1Mbit/s CTR=19...50% +55...+100C | SMDIP8 | 11,88 | 250 |
| 6N137 | Опто логический выход >2.5kV 10 Mbit/s | DIP8 | 11,44 | 500 |
| 6N137S | Опто интерфейс 10 Mбит/с 2.5 кВ Выход ОК -40:+85С Устойчивость к возд. синф. помех 10 кВ/мкс | SMDIP8 | 11,47 | 250 |
| HCPL-2601 | Опто интерфейс х1 10МБод AlGaAs-LED | DIP8 | 19,59 | 250 |
| HCPL-2630 | Опто интерфейс х2 10МБод | DIP8 | 37,49 | 150 |
| HCPL-2631 | Опто интерфейс х2 10МБод | DIP8 | 35,34 | 150 |
| HCPL0501 | Оптоинтерфейс х1 1МБит 2.5 кВ Выход ОК Uпит=0:30В Кус=19:50% Устойчивость к возд. синф. помех 10 кВ/мкс -40:+85С | SOP8 | 25,34 | 250 |
| HCPL0600 | Оптоинтерфейс х1 10МБит 3.75 кВ Выход ОК (стробируемый) 8 ТТЛ нагрузок без буфера Uпит=5.5В -40:+85С | SOP8 | 32,22 | 150 |
| HCPL0601 | Оптоинтерфейс х1 10МБит 3.75 кВ Выход ОК (стробируемый) 8 ТТЛ нагрузок без буфера Uпит=5.5В -40:+85С Устойчивость к возд. синф. помех 5 кВ/мкс | SOP8 | 32,45 | 150 |
| HCPL2630S | Опто интерфейс х2 10Mбит/с 2.5 кВ Выход ОК 8 ТТЛ нагрузок без буфера Uпит=5.0В -40:+85С Устойчивость к возд. синф. помех 10 кВ/мкс | SMDIP8 | 37,00 | 250 |
| 4N25M** | Опто транзистор x1 7.3kV 30V 0.1A Кус=20%... 0.25W -55...+100C | DIP6 | 4,70 | 1000 |
| 4N35M*** | Опто транзистор x1 7.5kV 30V 0.1A Кус=100% 0.3W -55...+100C | DIP6 | 3,68 | 1000 |
| 4N35SM | Опто транзистор x1 7.5kV 30V 0.1A Кус=100% 0.3W -55...+100C | SMnt6 | 3,82 | 2000 |
| 6N138 | Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300...2500% 0.135W -40...+85C | DIP8 | 12,73 | 500 |
| 6N139 | Опто транзистор darlington x1 2.5kV 0.06A Кус=300...2500% 0.135W -40...+85C | DIP8 | 11,57 | 250 |
| CNY17-1M | Опто транзистор x1 5.3kV 70V 0.05A Кус=40...80% 0.15W | DIP6 | 4,10 | 500 |
| FOD814А**** | Опто транзистор x1 min.5.0кВ 70В 0.05A Кус=50:150% 0.2Вт -55...+105C вход по переменному току | DIP4 | 4,84 | 250 |
| FODM3023R1 | Оптосимистор 3.75кВ 400В 70мА 0.3Вт -40...+100С Iоткр=5 мА | FPMFP4 (SO4) | 13,01 | 3000 |
| H11AA1 | Опто транзистор х1 AC вход 5.3kV 70V 100mA 20%min | DIP6 | 10,23 | 250 |
| H11L1M | Опто логический выход х1 1МБод 3-15V 7.5kV | DIP6 | 9,67 | 250 |
| H11L1SR2M | Опто логический выход х1 1МБод 3-15V 7.5kV, Surface Mount | SMnt6 | 9,25 | 500 |
| HMAA2705***** | Опто транзистор x1 3.75кВ 40В 0.08A Кус=50..300% 0.2Вт -40...+100С вход по переменному току | FPMFP4 | 5,13 | 250 |
| MCT6 | Опто транзистор x2 5,3 кВ 85В 0.03A Кус=мин.20% 0.4Вт -55...+100C | DIP8 | 8,19 | 500 |
| MOC217-M | Опто транзистор x1 2.5kV 30V 0.15A Кус=100...% 0.25W | SO | 5,50 | 250 |
| MOC3021-M | Опто симистор 7.5kV 400V 60mA 0.33W -40...+85 Iоткр=15mA | DIP6 | 6,16 | 250 |
| MOC3022-M | Опто симистор 7.5kV 400V 60mA 0.33W -40...+85 Iоткр=10mA | DIP6 | 6,11 | 250 |
| MOC3023-M | Опто симистор 7.5kV 400V 60mA 0.33W -40...+85 Iоткр=5mA | DIP6 | 6,54 | 250 |
| MOC3041-M | Опто симистор 7.5kV 400V 60mA 0.25W -40...+85 Схема перехода через ноль, LEDTriggerCurrent 15mA | DIP6 | 9,51 | 250 |
| MOC3042-M | Опто симистор 7.5kV 400V 60mA 0.25W -40...+85 Схема перехода через ноль, LEDTriggerCurrent 10mA | DIP6 | 8,94 | 500 |
| MOC3043-M | Опто симистор 7.5kV 400V 60mA 0.25W -40...+85 Схема перехода через ноль, LEDTriggerCurrent 5mA | DIP6 | 11,00 | 250 |
| MOC3052-M | Опто симистор 7.5kV 600V 60mA 0.3W -40...+85 Iоткр=10mA | DIP6 | 8,94 | 250 |
| MOC3063-M | Опто симистор 7.5kV 600V 60mA 0.25W -40...+85 Сх. перех. ч/з ноль LEDTriggerCurrent 5mA | DIP6 | 9,50 | 500 |
| MOC3083-M | Опто симистор 7.5kV 800V 1.0A 5mA 0.15W -40...+85 Схема перехода через ноль | DIP6 | 10,71 | 250 |
| MOC8104 | Транзисторная оптопара, ton/toff = 2/3 мкс, 7,5 кВ, 1 канал, CTR = 160-256% | DIP6 | 13,12 | 50 |
| MOC8105 | Транзисторная оптопара, ton/toff = 2/3 мкс, 7,5 кВ, 1 канал, CTR = 65-133% | DIP6 | 14,23 | 50 |
| MOC8106 | Транзисторная оптопара, ton/toff = 2/3 мкс, 7,5 кВ, 1 канал, CTR = 50-150% | DIP6 | 13,60 | 50 |
| MOCD213-M | Опто транзистор x2 2.5kV 70V 0.15A Кус=100%... 0.25W -40...+100C NBC | SO8 | 10,69 | 500 |
| MOCD223M | Опто транзистор x2 2.5kV 90V 0.15A Кус=500%... 0.25W -40...+100C | SO8 | 12,78 | 250 |
| TIL111 | Опто Транзистор 100 мА | DIP6 | 4,85 | 250 |
| Транзисторы | ||||
| HGTG12N60A4 | IGBT 600В/54А/167Вт/Uкэ нас.=2.0В, >100кГц ,trise/fall=8/18нс | TO247 | 83,11 | 150 |
| HGTG18N120BN | IGBT серии NPT 1200В/54А/390Вт/Uкэ нас.=2.45В, trise/fall=17/90нс | TO247 | 106,41 | 150 |
| HGTG18N120BND | IGBT серии NPT 1200В/54А/390Вт/Uкэ нас.=2.45В, встроенный Hyperfast диод, trise/fall=17/90нс | TO247 | 104,83 | 150 |
| HGTG20N60A4 | IGBT N-канал 600В/70А/290Вт/Uкэ(нас)=1,8В, 200 кГц | TO247 | 92,35 | 50 |
| HGTG20N60A4D | IGBT 600В/70А/290Вт/Uкэ нас.=1.8В, встроенный Hyperfast диод, >100кГц, trise/fall=12/32нс серии SMPS | TO247 | 132,20 | 150 |
| HGTP12N60A4D | IGBT N-канал 600В/54А/Uкэ(нас)=2В, встроенный Hyperfast диод, 200 кГц | TO220 | 68,92 | 50 |
| HGTP7N60A4D | IGBT 600В/34А/125Вт/Uкэ нас.=1.9В, встроенный Hyperfast диод, >100кГц, trise/fall=11/45нс серии SMPS | TO220 | 46,63 | 400 |
| SGH80N60UFDTU | IGBT 600В/80А/195Вт/Uкэ нас.=2.1В, встроенный Hyperfast диод, trise/fall=50/50нс | TO3P | 107,84 | 150 |
| MMBT5089LT1 | NPN 25В/ Кус=400, f>50МГц | SOT23 | 6,80 | 3000 |
| KSP2222A | NPN 40В/0.5А/0.5 Вт f>300МГц | TO92 | 0,46 | 1000 |
| MPSA94****** | PNP 400В/0.3А/0.625Вт Кус=40...300 | TO92 | 1,22 | 500 |
| BD679A | NPN darlington 80В/4А/40 Вт | TO126 | 4,17 | 250 |
| BD680A | PNP darlington 80В/4А/40 Вт | TO126 | 4,40 | 250 |
| BD681 | NPN darlington 100В/4А/40 Вт | TO126 | 5,78 | 250 |
| BD682 | PNP darlington 100В/4А/40 Вт | TO126 | 5,73 | 250 |
| TIP121 | NPN darlington 80В/5А/65Вт | TO220 | 9,36 | 500 |
| BD135-10 | NPN 45В/1.5А/8Вт Кус=60-160 | TO126 | 4,23 | 400 |
| BD137-16 | NPN 60В/1.5А/8Вт Кус=100-250 | TO126 | 2,99 | 400 |
| BD140-16 | PNP 80В/1.5А/8Вт Кус=100-250 | TO126 | 2,74 | 500 |
| KSE340 | NPN 300В/0.5А/20Вт | TO126 | 4,92 | 500 |
| BS170 | MOSFET 60В/0.3А/0.83Вт <5 Ом | TO92 | 1,86 | 1000 |
| FCH47N60 | MOSFET N-канал 600В/47А/0.058 Ом, Ультранизкий заряд затвора (тип. Qg = 210нК), SuperFET | TO247 | 222,33 | 60 |
| FCP20N60 | MOSFET N-канал 600В/20А/0.15 Ом, Ультранизкий заряд затвора (тип. Qg = 75 нК), SuperFET | TO220 | 84,07 | 500 |
| FQP17N40 | MOSFET N-канал 400В/16А/0.21Ом/170Вт, серия "QFET" | TO220 | 29,48 | 200 |
| FQPF6N90C | MOSFET N-канал 900В/6А/2.3Ом/56Вт, серия "QFET", встроенный диод, быстр.перекл.,100% avalanche tested | TO220F | 24,60 | 50 |
| IRF644B | MOSFET N-канал 250В/14А/139Вт/0.28 Ом | TO220 | 21,78 | 250 |
| IRL630A | MOSFET N-канал 200В/ 9А/125Вт/0.4 Ом Упр.лог.уровнем | TO220 | 13,46 | 250 |
| RFP40N10 | MOSFET N-канал 100В/40А/0.04 Ом, встроенный диод, управление от лог. схем | TO220 | 17,33 | 500 |
| RFP50N06 | MOSFET N-канал 60В/50А/0.022 Ом/131 Вт | TO220 | 13,20 | 500 |
| FCB20N60FTM | MOSFET N-канал 600В/20А/0.15 Ом, Ультранизкий заряд затвора (тип. Qg = 75 нК), SuperFET, быстр.вр.восст.160нс | D2PAK/TO263 | 82,57 | 800 |
** Улучшенный 4N25
*** Усовершенствованный аналог 4N35
**** Улучшенная замена HMAA814A
***** SO4 obs, м.заказывать до 17.09.08, аналог - FODM2705
****** Новое наименование: KSP94
Более подробную информацию по этим и другим транзисторам, диодам и микросхемам производства компании "Fairchild Semiconductor" вы можете найти на нашем сайте https://www.promelec.ru/fairchild/ и на сайте производителя http://www.fairchildsemi.com
Получить более подробную информацию по продукции "Fairchild Semiconductor" и заказать образцы вы можете, обратившись в отдел дистрибуции:
Бренд-менеджер отдела дистрибуции:
Подрезенко Алексей
E-mail: alexpo@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 245-68-20
Техническая поддержка:
Шатунов Максим
E-mail: fairchild@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372-92-27