• Главная
  • Новости
  • Революционно новые MOSFET транзисторы на карбиде кремния (SiC) от компании STMicroelectronics

Революционно новые MOSFET транзисторы на карбиде кремния (SiC) от компании STMicroelectronics

Группа компаний Промэлектроника
7 мая 2015 г.
Современный рынок силовой электроники с каждым годом все больше отдаёт предпочтение компонентам, выполненным на карбиде кремния (SiC). Этот факт отражается как в зарубежных, так и в отечественных пуб...
Читать полностью: Революционно новые MOSFET транзисторы на карбиде кремния (SiC) от компании STMicroelectronics;