Новое поступление электронных компонентов Infineon (International Rectifier)

Немецкая компания Infineon Technologies (ранее Siemens Semiconductors) образована в 1999 году, в результате реформирования компании Siemens AG. В 2015 году, в результате поглощения американской компании International Rectifier, Infineon Technologies усилила сферы своего влияния и расширила области производства. Штаб-квартира расположена в г. Нойбиберг (Германия). Производственные и исследовательские подразделения расположены в Азии (Сингапур), Европе (Германия, Австрия, Румыния) и Америке (Сан-Хосе, Калифорния, США), Японии (Токио). Infineon Technologies является крупным производителем телекоммуникационных микросхем для телефонии, а также силовых микросхем и дискретных компонентов для промышленного и автомобильного применения. Ведущие производители компьютерных комплектующих, энергосберегающих приборов, осветительных приборов, автомобилей, спутников, самолетов и систем защиты полагаются на инновационные решения Infineon Technologies при производстве своих продуктов следующего поколения.

На данный момент Infineon Technologies выпускает на глобальный рынок следующие приборы:

• дискретные силовые МДП-транзисторы и сборки
• МДП-транзисторы со встроенным диодом Шоттки, со встроенным драйвером затвора и т.п.
• дискретные силовые IGBT транзисторы и сборки
• оптоэлектронные реле
• узлы управления параллельными источниками питания (ORing-контроллеры и сборки)
• микроэлектронные реле
• микросхемы управления синхронными выпрямителями
• микросхемы управления импульсными преобразователями напряжения
• электронная пуско-регулирующая аппаратура люминесцентных светильников и её компоненты
• микросхемы и сборки управления электродвигателями со встроенными магнитами
• радиационно-устойчивые приборы и приборы повышенной отказоустойчивости для медицинской техники и авиации
• микроконтроллеры, сенсоры для автомобильного, промышленного и телекоммуникационного применения

Среди поступивших на склад микросхем - драйвер полумостовой с автогенератором IR2151PBF.

От надежной работы выходных каскадов силовых электронных устройств зависит, в конечном итоге, работа всей производственной линии, где эти устройства применяются. Для надежного и качественного переключения управляющих силовых ключей - высоковольтных MOSFET- и IGBT-транзисторов - необходимо обеспечить выполнение ряда условий:

• Напряжение на затворе должно быть выше напряжения истока транзистора на 5-10 В для MOSFET и 10-15 В для IGBT. Задача усложняется тем, что в высоковольтной системе напряжение истока (т.е. в основной шине устройства) может достигать нескольких сот или тысяч вольт
• Транзистор в составе системы должен иметь возможность прямого управления от логической низковольтной части системы, обычно измеряемого относительно общей шины. Таким образом, напряжение низковольтной части должно иметь смещение относительно источника питания высоковольтной части системы, которое, в свою очередь, часто является двуполярным
• Мощность, потребляемая схемой управления затвором, не должна существенно влиять на общую производительность системы коммутации

Основной задачей драйвера для обеспечения указанных выше требований является преобразование уровней напряжения и согласование низковольтной части системы управления, имеющей однополярное питание, и высоковольтной части, к которой часто приложено двуполярное напряжение с высоким потенциалом. Второй задачей, решаемой с помощью специализированных драйверов, является обеспечение высоких значений токов затвора, переключающих силовые транзисторы. Дело в том, что высоковольтные силовые ключи, как правило, имеют значительные паразитные емкости, способные накапливать большие заряды в области затвора. Для полноценного переключения таких транзисторов этот заряд необходимо рассосать или накачать, что и обеспечивается с помощью больших выходных токов драйвера. Кроме того, драйверы силовых ключей, в отличие от простых преобразователей уровня, снабжены множественными механизмами защиты как самого драйвера, так и управляемых ключей, что позволяет выполнять формирование выходных управляющих сигналов согласно определенным алгоритмам, чтобы предотвратить выход системы из строя в аварийной ситуации.

Интегральные драйверы, производимые компанией Infineon Technologies, предоставляют широкий набор функций, необходимых для управления силовыми MOSFET- или IGBT-ключами. Микросхема содержит в одном корпусе два выходных канала для управления верхним и нижним ключом. Механизм встроенного временного промежутка Dead-Time обеспечивает гарантированное закрытие одного силового ключа до момента начала открытия ключа в противоположном плече. Гарантией надежного закрытия противоположного транзистора является встроенная схема, контролирующая состояние ключей, и наличие схемы задержки, формирующей промежуток времени, в течение которого закрыты оба транзистора в плечах полумоста. Микросхемы обеспечивают одинаковую временную задержку прохождения сигнала для обоих каналов и имеют дополнительный функционал - возможность перехода в неактивное состояние (при наличии входа SD), разделение силовой и сигнальной "земель", ограничение максимального рабочего тока транзисторов и т.п. Типовые схемы включения драйверов представлены на рисунке:

Последнее поступление Infineon Technologies на склад "Промэлектроники":