Новое поступление продукции Galaxy

Группа компаний Промэлектроника
29.05.2017

Galaxy Semiconductor Co., Ltd. - компания, расположенная в Китае в округе Чанжоу и имеющая более чем 30-летний опыт производства полупроводниковых компонентов. Galaxy осуществляет изготовление кристаллов, корпусирование, тестирование и упаковку, что позволяет выпускать не только стандартные компоненты, но и по требованиям заказчика. Производственные площади компании занимают около 45000 кв.м., емкость производства - до 12 млрд. устройств в год. В 2002 году производство компании было сертифицировано по стандарту ISO9001-2000, а в 2007 - по стандарту TS16949.

 

Среди новых поступлений продукции Galaxy - диоды Шоттки различных типов.

 

 

Кремниевые диоды Шоттки уже давно стали привычными компонентами. Их основные преимущества - сниженное, по сравнению с простыми кремниевыми диодами, прямое падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства). Первое преимущество оборачивается меньшими тепловыми потерями и большими возможными прямыми токами при соразмерном нагреве, а второе - лучшими частотными свойствами.

Однако ничто нигде не дается бесплатно. Здесь за улучшение одних свойств приходится платить изменением других характеристик. Чем больше таких зависимостей, тем больше оказывается необходимость осознанного выбора элемента под конкретное применение. Не являются исключением из этого правила и диоды Шоттки.

 

В конструкции обычных диодов всего три особенности, и они мало влияют друг на друга - площадь p-n перехода, уровень легирования (удельное сопротивление) высокоомной области и время жизни неосновных носителей. Прямое падение напряжения в установившемся режиме при заданном токе зависит, в основном, от температуры и площади p-n перехода, и то очень слабо: от площади - по логарифмическому закону (минус ~20 мВ на удвоение площади/снижение тока вдвое), от температуры - в пределах +1…-2 мВ на градус. Удельное сопротивление материала высокоомной области у обычных диодов, благодаря эффекту модуляции проводимости, почти не влияет на прямое падение напряжения. Время жизни неосновных носителей определяет время обратного восстановления диода (и косвенно - его ток утечки).

 

Для диодов Шоттки время жизни неосновных носителей не имеет прямого влияния на характеристики диода в рабочих режимах, но зато добавляется две других особенности конструкции. Это выбор величины потенциального барьера (то есть, фактически, порогового напряжения - и тока утечки) и необходимость обеспечения защиты от перенапряжений (незащищенный переход Шоттки, в отличие от обычного p-n перехода, практически всегда необратимо выходит из строя при пробое обратным напряжением). Именно поэтому внутри подавляющего большинства диодов Шоттки есть еще и параллельно включенный обычный кремниевый p-n переход. Кроме того, у диодов Шоттки есть сильная связь между удельным сопротивлением высокоомной области и прямым падением напряжения при больших токах (из-за отсутствия механизма модуляции проводимости). Отсутствие же эффекта модуляции проводимости уменьшает устойчивость диодов к ударному току, что вынуждает увеличивать площадь перехода (снижать плотность тока). Из-за этого емкость диодов Шоттки, отнесенная к единице номинального тока, как правило, выше, чем у обычных диодов. 

 

Наглядный пример - UF4007 имеют емкость около 10…20 пФ, 1N5817 - около 50…70 пФ (при обратном напряжении 5 В). По той причине диоды Шоттки изготавливают с более частым рядом по величине допустимого обратного напряжения - чтобы не вводить излишний запас, увеличивающий прямое сопротивление диодов.

Даже из этого упрощенного описания видно, что в конструкции диодов Шоттки намного больше вариантов для выбора компромиссов, чем в "обычных" диодах. Именно поэтому разнообразие типов диодов Шоттки столь велико. И для осмысленного выбора лучших (для требуемого применения) вариантов нужно учитывать большее число параметров, чем при выборе "обычных" диодов. 

 

При выборе диодов Шоттки нужно четко различать две группы областей применения:

  • Относительно низкочастотную коммутацию (суммирование напряжений, выпрямление 50/60 Гц с минимальными потерями), где нужны минимальные потери от прямого падения напряжения и/или токов утечки
  • Применение в высокочастотных импульсных преобразователях, где важна минимальная величина общих потерь, то есть нужен минимум суммы статических и динамических потерь.

 

Диоды, оптимизированные для первой группы применений - это диоды с минимальными прямыми падениями напряжения, получаемыми, как правило, за счет больших площадей переходов (больших емкостей), или специальные микросхемы с использованием управляемого МОП-транзистора, внешне выглядящие как диод, но с чрезвычайно малым падением напряжения. 

 

Что же касается диодов Шоттки для применения в DC/DC-конверторах, то минимальные общие потери совершенно необязательно обеспечит диод с минимальным прямым падением напряжения, особенно при широком диапазоне нагрузок, когда нужно учитывать потери не только от прямого падения напряжения, но и от токов утечки - их величина экспоненциально зависит не только от температуры, но и от частоты. Связано это с тем, что за снижение прямого падения напряжения приходится платить либо ростом площади перехода (и емкости диода, что приводит к росту коммутационных потерь, пропорциональных fґСдU2/2), либо резким ростом тока утечки (когда для минимизации прямого падения напряжения выбрано практически нулевое пороговое напряжение за счет подбора материала контакта металл-полупроводник). 

 

Поэтому хотелось бы предостеречь от распространенной ошибки - попытки использования диодов Шоттки «на пределе» по току, особенно в схемах с «жестким» переключением токов. 
Во-первых, это крайне нежелательно с точки зрения динамических потерь, поскольку при больших токах (соответствующих падениям напряжения более 0,6…0,9 В в зависимости от типа диода) в структуре диодов Шоттки начинает работать параллельно включенный p-n переход. Это проявляется появлением накопления заряда выключения, что может вызывать большие импульсные токи/напряжения.

Во-вторых, нужно помнить, что нагрев диодов Шоттки почти не влияет на прямое падение напряжения при больших токах, но вызывает резкий рост токов утечек. Последнее опасно проявлением эффекта саморазогрева обратными токами. Увеличение размера радиатора, необходимое для предотвращения этого риска, часто в итоге обходится дороже, чем использование диодов на больший ток, имеющих меньшие статические потери. 

 

Новое поступление продукции производства Galaxy Semiconductor Co., Ltd. на склад "Промэлектроники":

  • Наименование
    К продаже
    Цена от
KBPC1008 Мост 10A 800V
Наличие:
94 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
23,91
BZX55C3V3 Стаб 0.5W 3.3V
Наличие:
7 264 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,54
BZX55C3V9 Стаб 0.5W 3.9V
Наличие:
10 393 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,39
BZX55C4V7 Стаб 0.5W 4.7V
Наличие:
9 638 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,63
BZX55C8V2 Стаб 0.5W 8.2V
Наличие:
6 849 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,36
BZX55C12 Стаб 0.5W 12V
Наличие:
6 866 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,47
BAV99 Диод х2 0.215A 75V послед.
Наличие:
11 029 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,21
BAT54S Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед.
Наличие:
19 745 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,31
UF4007 Диод 1000V 1A UltraFast
Наличие:
4 815 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,67
1.5KE24A 1500W 24V однонапр.
Наличие:
1 250 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
14,92
SS36 Шоттки 60V 3А 0.7V
Наличие:
2 536 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
6,20
BAW56 Диод х2 0.2A 70V общий анод
Наличие:
9 866 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,18
Наличие:
1 800 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
0,96
BAV199 Диод х2 0.2A 70V послед
Наличие:
39 631 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,31
S1M Диод 1000V 1A
Наличие:
44 734 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,62
BZX84C10 Стаб 0.3W 10V
Наличие:
11 653 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,31
BZX84C2V4 Стаб 0.3W 2.4V
Наличие:
11 050 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,31
BZX84C2V7 Стаб 0.3W 2.7V
Наличие:
2 818 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,33
KBPC1510 Мост 15A,1000V
Наличие:
870 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
94,04
Наличие:
27 499 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,67
ZMM5235B (ZMM55C-6V8) Стаб 0.5W 6.8V
Наличие:
4 989 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,42
1A7 Диод 1000V 1A
Наличие:
9 131 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
0,88
SF56 Диод 400V 5А 35нс SuperFast
Наличие:
5 601 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
10,57
SF36 Диод 400V 3А 35нс SuperFast
Наличие:
10 569 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
6,17
MURS360 Диод 600V 3A 50ns UltraFast
Наличие:
17 571 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
6,48
SS24 Шоттки 40V 2А 0.5V
Наличие:
3 005 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
4,57
HER308 Диод 1000V 3A 75ns высоко-эффективн.
Наличие:
9 294 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
6,96
1N4937 Диод 600V 1A 150ns Fast
Наличие:
18 506 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,18
US1G Диод 400V 1A 50ns UltraFast
Наличие:
21 112 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
2,92
B8S Мост 0.5А, 800V
Наличие:
2 450 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
5,71
FR207 Диод 1000V 2A 500ns Fast
Наличие:
21 186 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,76
1N5817 Шоттки 20V 1A 0.6V
Наличие:
13 435 шт.
Под заказ:
4 000 шт.
Цена от:
1,15
BZX84C24 Стаб 0.3W 24V
Наличие:
3 341 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,27
Наличие:
3 144 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,55
BZX55C18 Стаб 0.5W 18V
Наличие:
2 623 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,01
BZX55C20 Стаб 0.5W 20V
Наличие:
1 140 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
0,97
SF18 Диод 600V 1A 35ns SuperFast
Наличие:
3 975 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
2,88
BZX55C10 Стаб 0.5W 10V
Наличие:
5 378 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,29
BZX55C9V1 Стаб 0.5W 9.1V
Наличие:
6 804 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,15
BAS70-05 Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод
Наличие:
3 367 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,17
SS26 Шоттки 60V 2А 0.63V
Наличие:
1 516 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
3,58
Наличие:
169 271 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,22
KBPC3510W Мост 35A,1000V
Наличие:
253 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
90,29
1.5KE100A 1500W 100V однонапр. >
Наличие:
922 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
14,96
MBRX160 Шоттки 60V 1А 0.72V
Наличие:
8 980 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
2,90
MBR10150CT Шоттки х2 150V 2x5A 0.85V общ. катод
Наличие:
375 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
22,98
MBR15100CT Шоттки х2 100V 2x7.5A 0.8V общ. катод
Наличие:
36 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
19,15
MBR2060CT Шоттки х2 60V 2x10A 0.8V общ. катод
Наличие:
210 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
27,58
SR8100 Шоттки 100V 8А 0.85V
Наличие:
31 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
15,20
ZMM5252B (ZMM55C-24V) Стаб 0.5W 24V
Наличие:
3 966 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
1,69
  • Производитель
    Корпус
    Описание
Galaxy ME
KBPC-8
Диодный мост 10А 800В
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 3.3В
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 3.9В
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 4.7В
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 8.2В
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 12В
Galaxy ME
SOT23-3
Диод х2 75В/215мА последовательно
Galaxy ME
SOT23-3
Диод Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед.
Galaxy ME
DO-41
Диод выпрямительный 1000В 1А
Galaxy ME
DO201
Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=24В однонаправленный
Galaxy ME
DO-214AB
Диод Шоттки 60V 3А 0.7V
Galaxy ME
SOT23-3
Диод х2 70В/200 мА общий анод
Galaxy ME
SOT23-3
Диод выпрямительный общего применения 100В 0.215А
Galaxy ME
SOT23-3
Диод х2 70В/200мА последовательно
Galaxy ME
DO-214AC
Диод выпрямительный 1000В 1А
Galaxy ME
SOT23-3
Стабилитрон 0.3Вт 10В
Galaxy ME
SOT23-3
Стабилитрон 0.3Вт 2.4В
Galaxy ME
SOT23-3
Стабилитрон 0.3Вт 2.7В
Galaxy ME
KBPC
Диодный мост 15А 1000В
Galaxy ME
DO-214AC
Диод импульсный 1000В 1А
Galaxy ME
MiniMELF
Стабилитрон 0.5Вт 6.8В
Galaxy ME
R-1
Диод выпрямительный 1000В 1A
Galaxy ME
DO201
Диод выпрямительный общего применения 400В 5А 35нс
Galaxy ME
DO201
Диод выпрямительный общего применения 400В 3А 35нс
Galaxy ME
DO-214AB
Диод выпрямительный общего применения 600В 3А 50нс
Galaxy ME
DO-214AA
Диод Шоттки 40V 2А 0.5V
Galaxy ME
DO201
Диод выпрямительный общего применения 1000В 3А 75нс
Galaxy ME
DO-41
Диод выпрямительный общего применения 600В 1А 150нс
Galaxy ME
DO-214AC
Диод выпрямительный общего применения 400В 1А 50нс
Galaxy ME
MBS
Диодный мост 0.5А 800В
Galaxy ME
DO-15
Диод выпрямительный общего применения 1000В 2А 500нс
Galaxy ME
DO-41
Диод Шоттки 20В 1A
Galaxy ME
SOT23-3
Стабилитрон 0.3Вт 24В
Galaxy ME
SOT23-3
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 18В
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 20В
Galaxy ME
DO-41
Диод выпрямительный общего применения 600В 1А 35нс
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 10В
Galaxy ME
DO35
Стабилитрон 0.5Вт 9.1В
Galaxy ME
SOT23-3
Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод
Galaxy ME
DO-214AA
Диод Шоттки 60V 2А 0.63V
Galaxy ME
DO-41
Диод выпрямительный 1000В 1А
Galaxy ME
KBPC-W
Диодный мост 35А 1000В
Galaxy ME
DO201
Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=100В однонаправленный
Galaxy ME
SOD123FL
Диод Шоттки 60V 1А 0.72V
Galaxy ME
TO-220
Диод Шоттки x2 150V 2x5A 0.85V общ. катод
Galaxy ME
TO-220
Диод Шоттки х2 100V 2x7.5A 0.8V общ. катод
Galaxy ME
TO-220
Диод Шоттки х2 60V 2x10A 0.8V общ. катод
Galaxy ME
TO-220AC
Диод Шоттки 100V 8А 0.85V
Galaxy ME
MiniMELF
Стабилитрон 0.5Вт 24В