Новое поступление продукции Galaxy
Galaxy Semiconductor Co., Ltd. - компания, расположенная в Китае в округе Чанжоу и имеющая более чем 30-летний опыт производства полупроводниковых компонентов. Galaxy осуществляет изготовление кристаллов, корпусирование, тестирование и упаковку, что позволяет выпускать не только стандартные компоненты, но и по требованиям заказчика. Производственные площади компании занимают около 45000 кв.м., емкость производства - до 12 млрд. устройств в год. В 2002 году производство компании было сертифицировано по стандарту ISO9001-2000, а в 2007 - по стандарту TS16949.
Среди новых поступлений продукции Galaxy - диоды Шоттки различных типов.
Кремниевые диоды Шоттки уже давно стали привычными компонентами. Их основные преимущества - сниженное, по сравнению с простыми кремниевыми диодами, прямое падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства). Первое преимущество оборачивается меньшими тепловыми потерями и большими возможными прямыми токами при соразмерном нагреве, а второе - лучшими частотными свойствами.
Однако ничто нигде не дается бесплатно. Здесь за улучшение одних свойств приходится платить изменением других характеристик. Чем больше таких зависимостей, тем больше оказывается необходимость осознанного выбора элемента под конкретное применение. Не являются исключением из этого правила и диоды Шоттки.
В конструкции обычных диодов всего три особенности, и они мало влияют друг на друга - площадь p-n перехода, уровень легирования (удельное сопротивление) высокоомной области и время жизни неосновных носителей. Прямое падение напряжения в установившемся режиме при заданном токе зависит, в основном, от температуры и площади p-n перехода, и то очень слабо: от площади - по логарифмическому закону (минус ~20 мВ на удвоение площади/снижение тока вдвое), от температуры - в пределах +1…-2 мВ на градус. Удельное сопротивление материала высокоомной области у обычных диодов, благодаря эффекту модуляции проводимости, почти не влияет на прямое падение напряжения. Время жизни неосновных носителей определяет время обратного восстановления диода (и косвенно - его ток утечки).
Для диодов Шоттки время жизни неосновных носителей не имеет прямого влияния на характеристики диода в рабочих режимах, но зато добавляется две других особенности конструкции. Это выбор величины потенциального барьера (то есть, фактически, порогового напряжения - и тока утечки) и необходимость обеспечения защиты от перенапряжений (незащищенный переход Шоттки, в отличие от обычного p-n перехода, практически всегда необратимо выходит из строя при пробое обратным напряжением). Именно поэтому внутри подавляющего большинства диодов Шоттки есть еще и параллельно включенный обычный кремниевый p-n переход. Кроме того, у диодов Шоттки есть сильная связь между удельным сопротивлением высокоомной области и прямым падением напряжения при больших токах (из-за отсутствия механизма модуляции проводимости). Отсутствие же эффекта модуляции проводимости уменьшает устойчивость диодов к ударному току, что вынуждает увеличивать площадь перехода (снижать плотность тока). Из-за этого емкость диодов Шоттки, отнесенная к единице номинального тока, как правило, выше, чем у обычных диодов.
Наглядный пример - UF4007 имеют емкость около 10…20 пФ, 1N5817 - около 50…70 пФ (при обратном напряжении 5 В). По той причине диоды Шоттки изготавливают с более частым рядом по величине допустимого обратного напряжения - чтобы не вводить излишний запас, увеличивающий прямое сопротивление диодов.
Даже из этого упрощенного описания видно, что в конструкции диодов Шоттки намного больше вариантов для выбора компромиссов, чем в "обычных" диодах. Именно поэтому разнообразие типов диодов Шоттки столь велико. И для осмысленного выбора лучших (для требуемого применения) вариантов нужно учитывать большее число параметров, чем при выборе "обычных" диодов.
При выборе диодов Шоттки нужно четко различать две группы областей применения:
- Относительно низкочастотную коммутацию (суммирование напряжений, выпрямление 50/60 Гц с минимальными потерями), где нужны минимальные потери от прямого падения напряжения и/или токов утечки
- Применение в высокочастотных импульсных преобразователях, где важна минимальная величина общих потерь, то есть нужен минимум суммы статических и динамических потерь.
Диоды, оптимизированные для первой группы применений - это диоды с минимальными прямыми падениями напряжения, получаемыми, как правило, за счет больших площадей переходов (больших емкостей), или специальные микросхемы с использованием управляемого МОП-транзистора, внешне выглядящие как диод, но с чрезвычайно малым падением напряжения.
Что же касается диодов Шоттки для применения в DC/DC-конверторах, то минимальные общие потери совершенно необязательно обеспечит диод с минимальным прямым падением напряжения, особенно при широком диапазоне нагрузок, когда нужно учитывать потери не только от прямого падения напряжения, но и от токов утечки - их величина экспоненциально зависит не только от температуры, но и от частоты. Связано это с тем, что за снижение прямого падения напряжения приходится платить либо ростом площади перехода (и емкости диода, что приводит к росту коммутационных потерь, пропорциональных fґСдU2/2), либо резким ростом тока утечки (когда для минимизации прямого падения напряжения выбрано практически нулевое пороговое напряжение за счет подбора материала контакта металл-полупроводник).
Поэтому хотелось бы предостеречь от распространенной ошибки - попытки использования диодов Шоттки «на пределе» по току, особенно в схемах с «жестким» переключением токов.
Во-первых, это крайне нежелательно с точки зрения динамических потерь, поскольку при больших токах (соответствующих падениям напряжения более 0,6…0,9 В в зависимости от типа диода) в структуре диодов Шоттки начинает работать параллельно включенный p-n переход. Это проявляется появлением накопления заряда выключения, что может вызывать большие импульсные токи/напряжения.
Во-вторых, нужно помнить, что нагрев диодов Шоттки почти не влияет на прямое падение напряжения при больших токах, но вызывает резкий рост токов утечек. Последнее опасно проявлением эффекта саморазогрева обратными токами. Увеличение размера радиатора, необходимое для предотвращения этого риска, часто в итоге обходится дороже, чем использование диодов на больший ток, имеющих меньшие статические потери.
Новое поступление продукции производства Galaxy Semiconductor Co., Ltd. на склад "Промэлектроники":
1.5KE24A
Ограничитель напряжения Р=1500Вт U=24В однонаправленный
1A7
Диод выпрямительный 1000В 1A
1N4007
Диод выпрямительный 1000В 1А
1N4937
Диод выпрямительный общего применения 600В 1А 200нс
BAS70-05
Диод Шоттки х2 70V 0.07A 0.41V общ. катод
BAT54S
Диод Шоттки х2 30V 0.2 А послед. соед.
BAV199
Диод х2 70В/200мА последовательно
BAV99
Диод х2 75В/215мА последовательно
BZX55C10
Стабилитрон 0.5Вт 10В
BZX55C3V9
Стабилитрон 0.5Вт 3.9В
BZX55C8V2
Стабилитрон 0.5Вт 8.2В
GS1M
Диод импульсный 1000В 1А
HER308
Диод выпрямительный общего применения 1000В 3А 75нс
MBR10150CT
Диод Шоттки x2 150V 2x5A 0.85V общ. катод
MBR15100CT
Диод Шоттки х2 100V 2x7.5A 0.8V общ. катод
MMBTA92
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт
MURS360
Диод выпрямительный общего применения 600В 3А 50нс
S1M
Диод выпрямительный 1000В 1А
SF18
Диод выпрямительный общего применения 600В 1А 35нс
SF36
Диод выпрямительный общего применения 400В 3А 35нс
SF56
Диод выпрямительный общего применения 400В 5А 35нс
SS24
Диод Шоттки 40V 2А 0.5V
SS36
Диод Шоттки 60V 3А 0.7V
UF4007
Диод выпрямительный 1000В 1А
US1G
Диод выпрямительный общего применения 400В 1А 50нс
- Абакан
- Анадырь
- Архангельск
- Астрахань
- Барнаул
- Белгород
- Биробиджан
- Благовещенск
- Брянск
- Великий Новгород
- Владивосток
- Владикавказ
- Владимир
- Волгоград
- Вологда
- Воронеж
- Горно-Алтайск
- Грозный
- Екатеринбург
- Иваново
- Ижевск
- Иркутск
- Йошкар-Ола
- Казань
- Калининград
- Калуга
- Кемерово
- Киров
- Кострома
- Краснодар
- Красноярск
- Курган
- Курск
- Кызыл
- Липецк
- Магадан
- Магас
- Майкоп
- Махачкала
- Москва
- Мурманск
- Нальчик
- Нарьян-Мар
- Нижний Новгород
- Новосибирск
- Омск
- Орёл
- Оренбург
- Пенза
- Пермь
- Петрозаводск
- Петропавловск-Камчатский
- Псков
- Ростов-на-Дону
- Рязань
- Салехард
- Самара
- Санкт-Петербург
- Саранск
- Саратов
- Смоленск
- Ставрополь
- Сыктывкар
- Тамбов
- Тверь
- Томск
- Тула
- Тюмень
- Улан-Удэ
- Ульяновск
- Уфа
- Хабаровск
- Ханты-Мансийск
- Чебоксары
- Челябинск
- Черкесск
- Чита
- Элиста
- Южно-Сахалинск
- Якутск
- Ярославль
This site is protected by reCAPTCHA and the Google
Privacy Policy and Terms of Service apply.