• Главная
  • Новости
  • Новое поступление продукции Infineon Technologies на склад "Промэлектроники"

Новое поступление продукции Infineon Technologies на склад "Промэлектроники"

Группа компаний Промэлектроника
23.06.2017

Infineon Technologies AG (FWB: IFXGN, NYSE: IFX) — немецкая компания, крупный производитель микросхем для телекоммуникаций.

Ранее компания была подразделением Siemens AG Semiconductor Group. В результате реформирования компании Siemens AG в 1997 - 2001 году произошло выделение Siemens Semiconductors в отдельную компанию Infineon Technologies AG, однако тесные связи между компаниями сохраняются до сих пор.

International Rectifier — американский разработчик и производитель электронных компонентов. Специализируется на изделиях для систем электропитания: силовые транзисторы, импульсные стабилизаторы, микросхемы управления импульсными преобразователями, электродвигателями, люминесцентными лампами. Номенклатура изделий International Rectifier (с префиксами IR, IRF) стала стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

 

В 2015 году - официально стала частью Infineon Technologies.

 

Среди новых поступлений продукции Infineon Technologies AG – диоды Шоттки BAT60AE6327.

Кремниевые диоды Шоттки уже давно стали привычными компонентами. Их основные преимущества – сниженное, по сравнению с простыми кремниевыми диодами, прямое падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства). Первое преимущество оборачивается меньшими тепловыми потерями и большими возможными прямыми токами при соразмерном нагреве, а второе – лучшими частотными свойствами.

При выборе диодов Шоттки нужно четко различать две группы областей применения – относительно низкочастотную коммутацию (cуммирование напряжений, выпрямление 50/60 Гц с минимальными потерями), где нужны минимальные потери от прямого падения напряжения и/или токов утечки, и применение в высокочастотных импульсных преобразователях, где важна минимальная величина общих потерь, то есть нужен минимум суммы статических и динамических потерь.

 

Диоды, оптимизированные для первой группы применений – это диоды с минимальными прямыми падениями напряжения, получаемыми, как правило, за счет больших площадей переходов (больших емкостей), или специальные микросхемы с использованием управляемого МОП-транзистора, внешне выглядящие как диод, но с чрезвычайно малым падением напряжения. 

 

Что же касается диодов Шоттки для применения в DC/DC-конверторах, то минимальные общие потери совершенно необязательно обеспечит диод с минимальным прямым падением напряжения, особенно при широком диапазоне нагрузок, когда нужно учитывать потери не только от прямого падения напряжения, но и от токов утечки – их величина экспоненциально зависит не только от температуры, но и от частоты. Связано это с тем, что за снижение прямого падения напряжения приходится платить либо ростом площади перехода (и емкости диода, что приводит к росту коммутационных потерь, пропорциональных fґСдU2/2), либо резким ростом тока утечки (когда для минимизации прямого падения напряжения выбрано практически нулевое пороговое напряжение за счет подбора материала контакта металл-полупроводник). 
Поэтому хотелось бы предостеречь от распространенной ошибки – попытки использования диодов Шоттки «на пределе» по току, особенно в схемах с «жестким» переключением токов. Это крайне нежелательно с точки зрения динамических потерь, поскольку при больших токах (соответствующих падениям напряжения более 0,6…0,9 В в зависимости от типа диода) в структуре диодов Шоттки начинает работать параллельно включенный p-n переход. 

 

Новое поступление Infineon Technologies на склад "Промэлектроники":

  • Наименование
    К продаже
    Цена от
Наличие:
142 шт.
Под заказ:
2 750 шт.
Цена от:
131,00
Наличие:
155 шт.
Под заказ:
3 400 шт.
Цена от:
233,25
Наличие:
2 388 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
21,57
Наличие:
3 203 шт.
Под заказ:
6 525 шт.
Цена от:
27,68
Наличие:
1 047 шт.
Под заказ:
8 155 шт.
Цена от:
233,25
Наличие:
1 470 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
43,85
Наличие:
780 шт.
Под заказ:
15 000 шт.
Цена от:
62,37
Наличие:
1 434 шт.
Под заказ:
8 570 шт.
Цена от:
59,51
Наличие:
990 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
20,72
Наличие:
1 250 шт.
Под заказ:
14 560 шт.
Цена от:
103,52
Наличие:
2 144 шт.
Под заказ:
161 930 шт.
Цена от:
56,88
Наличие:
30 923 шт.
Под заказ:
268 000 шт.
Цена от:
1,80
Наличие:
118 шт.
Под заказ:
210 шт.
Цена от:
283,47
Наличие:
36 шт.
Под заказ:
5 050 шт.
Цена от:
60,32
Наличие:
2 849 шт.
Под заказ:
279 000 шт.
Цена от:
4,82
Наличие:
605 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
60,77
Наличие:
1 728 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
24,02
Наличие:
416 шт.
Под заказ:
1 045 шт.
Цена от:
36,84
Наличие:
575 шт.
Под заказ:
180 шт.
Цена от:
30,54
Наличие:
166 шт.
Под заказ:
17 050 шт.
Цена от:
121,68
  • Производитель
    Корпус
    Описание
INF
TO-247
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А, 366 Вт
INF
TO-247
Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 171 А, 517 Вт
INF
DPAK/TO252
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 17 А, 38 Вт, 0.075 Ом
VISHAY
TO-251
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2 А, 42Вт
INF
TO-247
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 195 А, 520 Вт
INF
TO-220F
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 28 А, 38 Вт, 0.022 Ом
INF
TO-220
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 133 А, 200 Вт, 0.005 Ом
INF
TO-220
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 162 А, 200 Вт, 0.004 Ом
INF
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2 Вт, 0.05 Ом
INF
TO-220
Полевой транзистор, N-канальный, 250 В, 390 Вт
INF
TO-220
Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 74 А, 200 Вт
INF
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
INF
TO-247
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
INF
TO-220
Полевой транзистор, N-канальный, 150В 33А 3.8Вт
INF
SOD323
Диод Шоттки 10В 3А 0,3В
INF
SOIC8
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.5 А, 2.5 Вт
INF
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт
INF
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 9.2 А, 2 Вт
INF
D2PAK/TO263
Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 19 А, 68 Вт
INF
TO-220
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А, 370Вт