Новое поступление продукции Infineon Technologies на склад "Промэлектроники"
Infineon Technologies AG (FWB: IFXGN, NYSE: IFX) — немецкая компания, крупный производитель микросхем для телекоммуникаций.
Ранее компания была подразделением Siemens AG Semiconductor Group. В результате реформирования компании Siemens AG в 1997 - 2001 году произошло выделение Siemens Semiconductors в отдельную компанию Infineon Technologies AG, однако тесные связи между компаниями сохраняются до сих пор.
International Rectifier — американский разработчик и производитель электронных компонентов. Специализируется на изделиях для систем электропитания: силовые транзисторы, импульсные стабилизаторы, микросхемы управления импульсными преобразователями, электродвигателями, люминесцентными лампами. Номенклатура изделий International Rectifier (с префиксами IR, IRF) стала стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.
В 2015 году - официально стала частью Infineon Technologies.
Среди новых поступлений продукции Infineon Technologies AG – диоды Шоттки BAT60AE6327.
Кремниевые диоды Шоттки уже давно стали привычными компонентами. Их основные преимущества – сниженное, по сравнению с простыми кремниевыми диодами, прямое падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства). Первое преимущество оборачивается меньшими тепловыми потерями и большими возможными прямыми токами при соразмерном нагреве, а второе – лучшими частотными свойствами.
При выборе диодов Шоттки нужно четко различать две группы областей применения – относительно низкочастотную коммутацию (cуммирование напряжений, выпрямление 50/60 Гц с минимальными потерями), где нужны минимальные потери от прямого падения напряжения и/или токов утечки, и применение в высокочастотных импульсных преобразователях, где важна минимальная величина общих потерь, то есть нужен минимум суммы статических и динамических потерь.
Диоды, оптимизированные для первой группы применений – это диоды с минимальными прямыми падениями напряжения, получаемыми, как правило, за счет больших площадей переходов (больших емкостей), или специальные микросхемы с использованием управляемого МОП-транзистора, внешне выглядящие как диод, но с чрезвычайно малым падением напряжения.
Что же касается диодов Шоттки для применения в DC/DC-конверторах, то минимальные общие потери совершенно необязательно обеспечит диод с минимальным прямым падением напряжения, особенно при широком диапазоне нагрузок, когда нужно учитывать потери не только от прямого падения напряжения, но и от токов утечки – их величина экспоненциально зависит не только от температуры, но и от частоты. Связано это с тем, что за снижение прямого падения напряжения приходится платить либо ростом площади перехода (и емкости диода, что приводит к росту коммутационных потерь, пропорциональных fґСдU2/2), либо резким ростом тока утечки (когда для минимизации прямого падения напряжения выбрано практически нулевое пороговое напряжение за счет подбора материала контакта металл-полупроводник).
Поэтому хотелось бы предостеречь от распространенной ошибки – попытки использования диодов Шоттки «на пределе» по току, особенно в схемах с «жестким» переключением токов. Это крайне нежелательно с точки зрения динамических потерь, поскольку при больших токах (соответствующих падениям напряжения более 0,6…0,9 В в зависимости от типа диода) в структуре диодов Шоттки начинает работать параллельно включенный p-n переход.
Новое поступление Infineon Technologies на склад "Промэлектроники":
IRFP7430PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 195А 366Вт
IRFP4568PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 171А 517Вт
IRFUC20PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 2А 42Вт
IRFP4468PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 195А 520Вт
IRLIZ44NPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 28А 38Вт, 0.022 Ом
IRF1405PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 55В 133А 200Вт, 0.005 Ом
IRF1404PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 162А 200Вт, 0.004 Ом
IRFB4332PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 250В 390Вт
IRF4905PBF
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 55В 74А 200Вт
BCR108E6327HTSA1
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
IRFB33N15DPBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 150В 33А 3.8Вт
BAT60AE6327HTSA1
Диод Шоттки 10В 3А 0,3В
IRLB4030PBF
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 180А 370Вт