• Главная
  • Новости
  • Новое поступление продукции Infineon Technologies на склад "Промэлектроники"

Новое поступление продукции Infineon Technologies на склад "Промэлектроники"

Группа компаний Промэлектроника
23.06.2017

Infineon Technologies AG (FWB: IFXGN, NYSE: IFX) — немецкая компания, крупный производитель микросхем для телекоммуникаций.

Ранее компания была подразделением Siemens AG Semiconductor Group. В результате реформирования компании Siemens AG в 1997 - 2001 году произошло выделение Siemens Semiconductors в отдельную компанию Infineon Technologies AG, однако тесные связи между компаниями сохраняются до сих пор.

International Rectifier — американский разработчик и производитель электронных компонентов. Специализируется на изделиях для систем электропитания: силовые транзисторы, импульсные стабилизаторы, микросхемы управления импульсными преобразователями, электродвигателями, люминесцентными лампами. Номенклатура изделий International Rectifier (с префиксами IR, IRF) стала стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

 

В 2015 году - официально стала частью Infineon Technologies.

 

Среди новых поступлений продукции Infineon Technologies AG – диоды Шоттки BAT60AE6327.

Кремниевые диоды Шоттки уже давно стали привычными компонентами. Их основные преимущества – сниженное, по сравнению с простыми кремниевыми диодами, прямое падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства). Первое преимущество оборачивается меньшими тепловыми потерями и большими возможными прямыми токами при соразмерном нагреве, а второе – лучшими частотными свойствами.

При выборе диодов Шоттки нужно четко различать две группы областей применения – относительно низкочастотную коммутацию (cуммирование напряжений, выпрямление 50/60 Гц с минимальными потерями), где нужны минимальные потери от прямого падения напряжения и/или токов утечки, и применение в высокочастотных импульсных преобразователях, где важна минимальная величина общих потерь, то есть нужен минимум суммы статических и динамических потерь.

 

Диоды, оптимизированные для первой группы применений – это диоды с минимальными прямыми падениями напряжения, получаемыми, как правило, за счет больших площадей переходов (больших емкостей), или специальные микросхемы с использованием управляемого МОП-транзистора, внешне выглядящие как диод, но с чрезвычайно малым падением напряжения. 

 

Что же касается диодов Шоттки для применения в DC/DC-конверторах, то минимальные общие потери совершенно необязательно обеспечит диод с минимальным прямым падением напряжения, особенно при широком диапазоне нагрузок, когда нужно учитывать потери не только от прямого падения напряжения, но и от токов утечки – их величина экспоненциально зависит не только от температуры, но и от частоты. Связано это с тем, что за снижение прямого падения напряжения приходится платить либо ростом площади перехода (и емкости диода, что приводит к росту коммутационных потерь, пропорциональных fґСдU2/2), либо резким ростом тока утечки (когда для минимизации прямого падения напряжения выбрано практически нулевое пороговое напряжение за счет подбора материала контакта металл-полупроводник). 
Поэтому хотелось бы предостеречь от распространенной ошибки – попытки использования диодов Шоттки «на пределе» по току, особенно в схемах с «жестким» переключением токов. Это крайне нежелательно с точки зрения динамических потерь, поскольку при больших токах (соответствующих падениям напряжения более 0,6…0,9 В в зависимости от типа диода) в структуре диодов Шоттки начинает работать параллельно включенный p-n переход. 

 

Новое поступление Infineon Technologies на склад "Промэлектроники":

  • Наименование
    К продаже
    Цена от
Наличие:
90 шт.
Под заказ:
2 925 шт.
Цена от:
121,65
Наличие:
2 231 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
20,96
Наличие:
121 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
31,57
Наличие:
685 шт.
Под заказ:
556 шт.
Цена от:
361,22
Наличие:
1 820 шт.
Под заказ:
200 шт.
Цена от:
43,71
Наличие:
61 шт.
Под заказ:
400 шт.
Цена от:
87,17
Наличие:
1 805 шт.
Под заказ:
3 310 шт.
Цена от:
93,66
Наличие:
59 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
20,46
Наличие:
3 297 шт.
Под заказ:
104 700 шт.
Цена от:
67,93
Наличие:
35 523 шт.
Под заказ:
359 181 шт.
Цена от:
1,96
Наличие:
117 шт.
Под заказ:
115 шт.
Цена от:
274,18
Наличие:
70 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
73,30
Наличие:
356 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
4,74
Наличие:
35 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
56,46
Наличие:
13 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
23,73
Наличие:
35 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
41,35
Наличие:
49 шт.
Под заказ:
0 шт.
Цена от:
36,59
Наличие:
69 шт.
Под заказ:
9 800 шт.
Цена от:
134,23
  • Производитель
    Корпус
    Описание
INF
TO-247
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 195 А, 366 Вт
INF
DPAK/TO252
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 17 А, 38 Вт, 0.075 Ом
VISHAY
TO-251
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 2 А, 42Вт
INF
TO-247
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 195 А, 520 Вт
INF
TO-220F
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 28 А, 38 Вт, 0.022 Ом
INF
TO-220AB
Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 133 А, 200 Вт, 0.005 Ом
INF
TO-220AB
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 162 А, 200 Вт, 0.004 Ом
INF
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 4.9 А, 2 Вт, 0.05 Ом
INF
TO-220AB
Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 74 А, 200 Вт
INF
SOT23-3
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 170 МГц, 2.2 кОм+47 кОм
INF
TO-247
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 70 А, 200 Вт
INF
TO-220AB
Полевой транзистор, N-канальный, 150В 33А 3.8Вт
INF
SOD323
Диод Шоттки 10В 3А 0,3В
INF
SOIC8
Полевой транзистор, P-канальный, 40 В, 10.5 А, 2.5 Вт
INF
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 5.3 А, 2 Вт
INF
SOIC8
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 30 В, 9.2 А, 2 Вт
INF
D2PAK/TO263
Полевой транзистор, P-канальный, 55 В, 19 А, 68 Вт
INF
TO-220
Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 180 А, 370Вт