• Главная
  • Новости
  • Наконец-то свершилось: MOSFET-транзисторы STMicroelectronics с выгодой до 76%

Наконец-то свершилось: MOSFET-транзисторы STMicroelectronics с выгодой до 76%

Группа компаний Промэлектроника
20.10.2017

Разработки в сфере современной полупроводниковой силовой электроники не стоят на месте и так же как цифровые микросхемы и микроконтроллеры развиваются. В своем развитии силовые электронные устройства требуют возможности реализации более мощных устройств в меньших габаритах. MOSFET-транзисторы одни из важных компонентов, преобразующих энергию в изделиях силовой электроники, поэтому к ним предъявляются требования по низким потерям на переключение, высоким скоростям переключения, эффективному рассеянию излишнего тепла.    

STMicroelectronics мировой лидер в производстве MOSFET-транзисторов постоянно стремится совершенствоваться в технологиях производства. Линейка транзисторов этого производителя представлена p- и n-канальными транзисторами на высокие рабочие напряжения до значения 1500В с низкими значениями затворной емкости и сопротивления канала в открытом состоянии. Корпуса представлены широким рядом.

Последние передовые технологии MOSFET-транзисторов от компании STMicroelectronics:  

 Технология MDmesh 

Структура MDmesh MOSFET

Транзисторы, выполненные в соответствии с технологией MDmesh (Multiple Drain mesh) основаны на большом количестве вертикальных Р структур стока. За счет этого обеспечивается низкое значение сопротивления открытого канала сток-исток и высокий показатель скорости переключения. Данные преимущества дают возможность широкого применения транзисторов в импульсных источниках питания малой и средней мощности, где канал с низким сопротивлением и высокими динамическими характеристиками помогают увеличить эффективность работы источника питания и при этом уменьшить размер теплоотвода и соответственно уменьшить конструкцию в целом.

 Характеристики транзисторов выполненных по технологии MDmesh - серия M5: 

  • Рабочее напряжение: 600 -650 В
  • Рабочий ток: 8,5 - 69 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,07 - 0,198 Ом

Технология Zener-protected SuperMESH™

Технология SuperMESH™ достигнута улучшением и оптимизацией технологии PowerMESH™ основанная на полосковом расположении, кроме улучшенного значения сопротивления канала устройства выполненные по технологии SuperMESH™ обладают высоким значением dv/dt.

Во многих приложениях силовой электроники, таких как сварочные инверторы, системы индукционного нагрева необходимо защищать затвор транзистора от статических разрядов и выбросов напряжения. Для защиты применяют защитные стабилитроны, подключаемые между затвором и «землей» и затвором, и шиной питания. Специально для таких приложений компания STMicroelectronics выпустила серию высоковольтных транзисторов со встроенными защитными элементами. Такие транзисторы полностью защищены от статических разрядов и выбросов напряжения в цепи затвора, которые могут являться следствием переходных процессов. 

Характеристики транзисторов выполненных по технологии Zener-protected SuperMESH™-  серия Z :

  • Рабочее напряжение: 400 -1000 В
  • Рабочий ток: 4,4 - 10,5 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,65 - 6,25 Ом

Технология STripFET2 

Для построения высокоэффективных, высокочастотных синхронных понижающих DC/DC преобразователей востребованы низковольтные транзисторы с очень низким зарядом затвора. Применяются такие преобразователи в мобильных устройствах, телекоммуникационном оборудовании, материнских платах промышленных компьютеров. Специально для таких применений компания STMicroelectronics выпустила серию транзисторов STripFET2. В отличие от похожей технологии Trench, применяемую такими производителями как INF и IRF технология STripFET2 позволяет получить транзисторы с лучшим соотношением малого заряда затвора и низкого сопротивления канала. 

Характеристики транзисторов выполненных по технологии STripFET2 -  серия NF:

  • Рабочее напряжение: 30 -200 В
  • Рабочий ток: 15 - 120 А
  • Сопротивление открытого канала: 0,0032 - 0,115 Ом
STP9NK60Z Транзистор полевой 600В 9A Производитель: STM Корпус: TO-220
Наличие:
468 шт

Под заказ:
209 шт
Цена от:
от 129,26
STP19NF20 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 200В 15А 0.15 Ом Производитель: STM Корпус: TO-220AB
Наличие:
103 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 106,92
STW12NK80Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 10.5А 190Вт Производитель: STM Корпус: TO-247
Наличие:
93 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 270,71
STW77N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 69А 400Вт Производитель: STM Корпус: TO-247
Наличие:
30 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 951,15
STP140NF75 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 120A Производитель: STM Корпус: TO-220AB
Наличие:
67 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 187,23
STP200NF04 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 120A Производитель: STM Корпус: TO-220AB
Наличие:
1 081 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 35,51
STD20NF06LT4 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 24А 0.032 Ом, 60Вт Производитель: STM Корпус: DPAK
Наличие:
891 шт

Под заказ:
630 шт
Аналоги:
202 шт
Цена от:
от 60,02
STP14NF10 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 15A Производитель: STM Корпус: TO-220
Наличие:
225 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 104,15
STP7NK40Z Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.4А 70Вт Производитель: STM Корпус: TO-220
Наличие:
650 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 31,10
STW13N95K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 10А 190Вт Производитель: STM Корпус: TO-247
Наличие:
27 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 256,91
STN3N40K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 1.8A Производитель: STM Корпус: SOT-223
Наличие:
1 196 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 37,82
STR2N2VH5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 2.3А, 0.35Вт Производитель: STM Корпус: SOT-23
Наличие:
1 374 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 7,01
STL3P6F6 Транзистор полевой -60В, 0.16Ом, 3А Производитель: STM Корпус: PowerFLAT 3.3x3.3
Наличие:
181 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 11,18
STL6N3LLH6 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В Производитель: STM Корпус: PowerFLAT 2x2
Наличие:
6 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 11,60
STL7N80K5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 3А 42Вт Производитель: STM Корпус: PowerFLAT 5x6
Наличие:
234 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 73,47
STD6N52K3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 525В 5A Производитель: STM Корпус: DPAK/TO-252AA
Наличие:
4 510 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 39,22
STP5NK50ZFP Транзистор полевой MOSFET N-канальный 500В 4.4А 25Вт Производитель: STM Корпус: TO-220F
Наличие:
508 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 81,27