Новое поступление силовых MOSFET Infineon Technologies

Германский производитель полупроводниковой электроники Infineon Technologies появился в 1999 г., когда полупроводниковое подразделение Siemens AG выделилось в самостоятельную компанию. Ассортимент продукции Infineon невероятно разнообразен: от МЭМС-устройств до смарт-карт, от микроконтроллеров до варисторов, от высокочастотных маломощных до силовых полевых транзисторов, IGBT и других дискретных приборов. Благодаря распространению электроники в автомобилях, а также удачным поглощениям конкурентов из смежных ниш рынка Infineon стала входить в лидеры рынка полупроводников, наращивая прибыль при сохранении высокого качества продукции.

В числе наиболее удачных приобретений Infineon стоит назвать International Rectifier с их богатым портфолио силовых компонентов.  В связи с поступлением на склад Промэлектроники MOSFET серии IRF расскажем подробнее о технологии HEXFET™, лежащей в их основе.

HEXFET получила своё название благодаря геометрии транзисторов, выполненных по этой технологии (рисунок 1): 

Рисунок 1 — Структура HEXFET. Источник: moluch.ru

На едином кристалле тысячи шестиугольников образованы параллельно включенными МОП-транзисторами. Благодаря этому сопротивление открытого канала очень мало, а максимальный ток, который может проходить через HEXFET-транзистор, огромен. Стоит отметить, что HEXFET-ы относятся к полевым транзисторам с индуцированным каналом, открываясь только при определённой величине напряжения на затворе.

Одна из моделей, перечисленных в таблице ниже — IRF100P218XKMA1 — относится к семейству StrongIRFET™. Под этой маркой выпускаются относительно никзовольтные и сильноточные MOSFET со сверхнизким сопротивлением открытого канала. В числе других преимуществ приведём высокое быстродействие элемента и стабильную работу при нагреве до высоких температур. У упомянутой модели рабочая температура составляет 175°C.

Полный список силовых MOSFET Infineon можно просмотреть в таблице ниже. Все MOSFET Infineon в нашем каталоге доступны по ссылке.