Крупное поступление выводных индуктивностей от CHANGZHOU 6TH RADIO PARTS FACTORY
Компания Changzhou No.6 Electronic Components Technology Co., Ltd. была образована на базе завода радиодеталей г. Чанчжоу (КНР). Предприятие было создано в 1966 г. с целью выпуска различных индуктивных компонентов. В настоящее время в ассортимент продукции Changzhou No.6 Electronic Components Technology входят аксиальные и радиальные индуктивности, керамические чип-индуктивности, тороидальные катушки, ферритовые сердечники и другие индуктивные компоненты. Производственные мощности позволяют фабрике выпускать более 400 млн. единиц товаров в год. Таким образом Changzhou No.6 Electronic Components Technology входит в число крупнейших поставщиков индуктивностей в КНР.
В 1996 г. предприятие получило сертификат качества продукции ISO9001 и в 2003 г. - сертификат ISO14001. В апреле 2018 г. получен сертификат соответствия требованиям автомобильной электроники IATF16949.
На склад "Промэлектроники" поступила крупная партия выводных индуктивностей от Changzhou No.6 Electronic Components Technology Co., Ltd.:
- расположение выводов: аксиальное, радиальное;
- индуктивность, мкГн: 18....1500;
- допустимый ток, мА: 126....2500;
- сопротивление по постоянному току, Ом: 0,12....7,7.
Полный список выводных индуктивностей производства Changzhou No.6 Electronic Components Technology Co., Ltd. в нашем каталоге доступен по ссылке.
LGB-X0608-180K
Радиальная индуктивность 18uH 2.52MHz 0.058Om 1400mA
LGB-X0608-220K
Радиальная индуктивность 22uH 2.52MHz 0.0667Om 1300mA
LGB-X0608-330K
Радиальная индуктивность 33uH 2.52MHz 0.1Om 1000mA
LGB-X0608-151K
Радиальная индуктивность 150uH 0.796MHz 0.38Om 530mA
LGB-X0608-221K
Радиальная индуктивность 220uH 0.796MHz 0.6Om 430mA
LGB-X0608-391K
Радиальная индуктивность 390uH 0.796MHz 1.1Om 330mA
LGB-X0608-681K
Радиальная индуктивность 680uH 0.796MHz 1.8Om 240mA
LGB-X1016-152K
Радиальная индуктивность 1500uH 0,52A 1.3Ohm DCR p=6.5mm
LGB-X1016-221K
Радиальная индуктивность 220uH 2A 200mOhm DCR p=6.5mm
LGB-X1016-101K
Радиальная индуктивность 100uH 3A 120mOhm DCR p=6.5mm
LGA0307ТВ 101K
Аксиальная индуктивность 100uH ±10% 0,165A 3,8Om DCR
LGA0307ТВ 151K
Аксиальная индуктивность 150uH ±10% 0,15A 4,4Om DCR
LGA0307ТВ 220K
Аксиальная индуктивность 22uH ±10% 0,285A 1,2Om DCR
LGA0307ТВ 331K
Аксиальная индуктивность 330uH ±10% 0,1A 9,5Om DCR
LGA0307ТВ 470K
Аксиальная индуктивность 47uH ±10% 0,205A 2,3Om DCR
LGA0307ТВ 680K
Аксиальная индуктивность 68uH ±10% 0,185A 3,2Om DCR