Новое поступление диодов на основе карбида кремния от Global Power Technolgy
Global Power Technology Co., Ltd. (GPT) — известная китайская компания, зарекомендовавшая себя на мировом рынке по производству силовых электронных компонентов. Предприятие было основано в Пекине в 2011 году и уже в 2012 г. выпущена первая партия диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC). В настоящее время GPT специализируется на выпуске диодов Шоттки SiC с напряжением от 600 до 3300 В и током от 0,6 до 100 А.
Карбид кремния известен с 1923 г., но распространение в электронике он получил только за последние пару десятилетий. Как полупроводник, он имеет более широкую запрещённую зону. Сложность производства карбид-кремниевых кристаллов компенсируется следующими преимуществами:
- низкий обратный ток (ток утечки);
- повышенное напряжение пробоя перехода;
- высокая теплопроводность SiC (тепловое сопротивление в два раза ниже, чем у "обычного" P-N перехода), что упрощает охлаждение прибора;
- высокое быстродействие, малый динамический ток восстановления, что способствует повышению КПД.
На склад "Промэлектроника" поступила партия диодов Шоттки производства Global Power Technology с параметрами:
- максимальное обратное напряжение, В: 600...1200;
- максимальный прямой ток, А: 5...70;
- диапазон рабочих температур, °C: -55...+175;
- почти нулевой обратный ток;
- корпус: TO-220, TO-247 с креплением на радиатор.
Список SiC диодов GPT в каталоге "Промэлектроника"
