Первоклассные IGBT-модули для вашей техники

Группа компаний Промэлектроника
27.09.2023
Первоклассные IGBT-модули для вашей техники Первоклассные IGBT-модули для вашей техники

Мы рады сообщить о поступлении на склад IGBT-модулей в корпусе EconoDUAL 3 от производителей Leapers и Xiner.

IGBT модули представляют собой сборку из параллельно включенных IGBT-транзисторов и быстродействующих диодов (FRD). Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) обладает высоким КПД, мощностью, быстрым включением и выключением, низкими потерями энергии при переключении. IGBT модули предназначены для использования в преобразовательной технике для повышения энергетической эффективности преобразования и передачи электроэнергии.

1200-вольтовые IGBT-модули Xiner и Leapers ориентированы на применение в промышленных частотных преобразователях, системах управления приводом насосных станций, возобновляемых источниках энергии, а также индукционных системах нагрева.

Благодаря плоскому корпусу, отдельным винтовым клеммам для силовых цепей, а также штыревым контактам цепей управления возможна установка драйверов затворов IGBT-транзисторов непосредственно на верхней части модуля, что позволит достичь компактных размеров конструкций инверторов.

Компания Leapers Semiconductor основана в 2019 году в Китае, а её отдел разработок находится в Кумагайе (Япония). Компания специализируется на производстве SIC и IGBT-модулей для применения на транспорте.

Преимущества модулей DFI450HF12I4ME1:

  • новейшие разработки кристаллов IGBT Renesas 8-го поколения;
  • максимальный ток коллектора 600 А при +100 °C;
  • напряжение изоляции 3400 В;
  • подходят для транспортных тяговых инверторов с частотой 20–50 кГц. Количество заявляемых термоциклов в три раза выше, чем у аналогов;

Компания Shenzhen Xiner Semiconductor Technology Co., Ltd. (Xiner) основана в 2013 году в городе Шэньчжэнь. Направление деятельности компании – производство IGBT, микросхем драйверов IGBT и интеллектуальных силовых модулей. 

Преимущества модулей XNG450B24KC5A5:

  • низкие потери переключения;
  • высокая устойчивость к току короткого замыкания (Icsc);
  • надежность и повторяемость параметров.

ТАБЛИЦА 1. ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ 1200 В IGBT-ТРАНЗИСТОРОВ

 

Leapers

Xiner

CRRC

Mitsubishi

Infineon

Starpower

 

DFI450HF12I4ME1

XNG450B24KC5A5

TG450HF12M1-S3A00

CM450DX-24T

FF450R12ME4

GD450HFY120C6S

Ключевые условия проверки параметров:

Ток коллектора IC 450 A, напряжение затвор-эмиттер VGE =15V

Ток коллектора DC IC Tc = 100 °C, А

600

450

450

450

450

450

Повторяющийся пиковый ток коллектора

tp =1ms , Note 1 , А

1200

900

900

900

900

900

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

3750

2150

2800

2500

2250

2272

Пороговое напряжение затвор-эмиттер VGE(th), В

5

5,6

5,9

6

5,8

5,6

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) 25 °C, В

1,65

1,75

1,65

1,65

1,75

1,7

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) Tj = 150 °C, В

1,85

2,05

2

1,9

2,05

2

Время задержки включения td(on) Tj = 25 °C, мкс

0,18

0,18

0,262

0,6

0,19

0,208

Время задержки включения td(on) Tj = 150 °C, мкс

0,191

0,187

0,267

 

0,22

0,23

Время нарастания Tj = 25°C, мкс

0,052

0,059

0,095

0,2

0,06

0,054

Время нарастания Tj = 150 °C, мкс

0,054

0,066

0,102

 

0,07

0,062

Время задержки выключения Tj = 25°C, мкс

0,422

0,435

0,68

0,8

0,49

0,356

Время задержки выключения Tj = 150 °C, мкс

0,48

0,504

0,73

 

0,62

0,431

Время спада Tj = 25°C, мкс

0,113

0,082

0,13

0,4

0,08

0,256

Время спада Tj = 150°C, мкс

0,16

0,218

0,27

 

0,12

0,403

Энергия потерь при включении Tj = 25°C,мДж

45,2

21

19

43,1

15

25,4

Энергия потерь при включении Tj = 150°C, мДж

63,53

36

30

 

28,5

45,3

Рассеивание энергии при выключении за один цикл Tj = 25°C, мДж

35,38

43

46

45

38

42,1

Рассеивание энергии при выключении за один цикл Tj = 150°C, мДж

43,99

51

62

 

61,5

60,2

Тепловое сопротивление переход-корпус RthJC, К/Вт

0,04

0,07

0,052

0,06

0,104

0,066

Условия проверки параметров:

 

(Switch side)

VCC =600V, IC 450A

VGE = +15V/-8V

RG 1.0 Om

(FRD side)

Vrr =600V, IF 450 A

VGE= -8V

IF=450A,VR=600V

IF = 450A, VGE = 0

н/д

IF = 450 A, - diF/dt = 7000 A/µs (Tvj=150°C)

VR = 600 V

VGE = -15 V

VCC=600V,

IF=450A,

-di/dt=7860A/μs,

LS=45nH,

VGE=-15V

Постоянное прямое напряжение диода

VF Tj = 25°C, В

1,7

2,32

1,65

н/д

1,65

1,6

Постоянное прямое напряжение диода

VF Tj = 150°C, В

1,75

2,4

1,75

н/д

1,65

1,7

Пиковый ток обратного восстановления

Tj = 25°C, А

283

243

350

н/д

450

393

Сравнение общих параметров модулей разных производителей показывает, что модули Leapers и Xiner в сравнении с аналогичными IGBT-транзисторами класса 1200 В имеют пониженное напряжение насыщения. Это обеспечивает меньшее падение напряжения и минимальную рассеиваемую мощность в открытом состоянии прибора, упрощая тем самым систему терморегулирования. Кроме того, положительный температурный коэффициент VCE(sat) в сочетании с малым разбросом параметров не только упрощает параллельное включение нескольких транзисторов, но и позволяет реализовать управление более высокой мощностью. Заметно пониженный уровень выбросов напряжения и практически нулевые колебания при выключении помогают производителям источников питания использовать упрощённые схемы помехоподавления и уменьшить количество применяемых компонентов.

Модули Leapers и Xiner доступны для заказа с нашего склада. 

DFI450HF12I4ME1 IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Leapers Semiconductor Корпус: ECONOD-3
Наличие:
5 097 шт

Под заказ:
348 шт
Аналоги:
3 083 шт
Цена от:
от 9 132,57
XNG450B24KC5A5 IGBT Модуль 1200В, 450А, полумостовой Производитель: Xiner
Наличие:
2 808 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
5 790 шт
Цена от:
от 7 352,40
DFI600HF12I4ME1 IGBT Модуль 1200В, 600А, полумостовой Производитель: Leapers Semiconductor
Наличие:
0 шт

Под заказ:
310 шт
Аналоги:
255 шт
Цена от:
от 13 213,26
DFI450HF17I4RE1 IGBT Модуль 1700В, 450А, полумостовой Производитель: Leapers Semiconductor
Наличие:
4 049 шт

Под заказ:
102 шт
Аналоги:
105 шт
Цена от:
от 11 429,81

По вопросам приобретения, а также по всем другим интересующим вопросам предлагаем обрщаться на электронную почту: a.volkov@promelec.ru.

Сейлз-инженер ГК «Промэлектроника»
Волков Алексей
тел: (343) 372-92-30, доб.443

Все товары производителя
Смотреть все товары
Все товары производителя
Смотреть все товары