В продаже диоды на основе карбида кремния Global Power Technolgy
Китайская компания Global Power Technology Co., Ltd. (GPT), основанная в 2011 году, специализируется на производстве силовых карбид-кремниевых диодов Шоттки с обратным напряжением от 600 до 3300 В и прямым током от 0,6 до 100 А. Карбид кремния обладает рядом преимуществ по сравнению с другими полупроводниками силовой электроники:
- высокая рабочая температура;
- высокая надежность;
- повышенное быстродействие;
- низкие потери мощности;
- устойчивость к воздействию высокого напряжения;
- меньший размер и вес;
- длительный срок службы.
В каталоге "Промэлектроника" представлены наиболее популярные SiC-диоды производства GPT со следующими параметрами:
- максимальное обратное напряжение, В: 600...1200;
- максимальная рассеиваемая мощность, Вт: 46...150;
- максимальный прямой ток, А: 5...70;
- диапазон рабочих температур, °С: -55...+175;
- корпус: TO-220, TO-247.
Благодаря широкой запрещённой зоне диоды Шоттки на основе карбида кремния имеют низкий ток утечки, высокое напряжение пробоя, отличную теплопроводность и низкую барьерную ёмкость, что обусловливает высокую эффективность устройств, в которых они применяются.
G5S12010A
Диод Шоттки SIC 1.2кВ 10А TO220AC