В наличии flash-память GigaDevice Semiconductor

В эпоху стремительного увеличения объёмов данных необходимость в надёжных системах хранения достигла беспрецедентных масштабов. Операционная система, алгоритмы управления или персональные пользовательские настройки — вся эта информация требует энергонезависимых решений. И когда встаёт вопрос выбора элементной базы для её сохранения на основе полупроводников, ключевой дилеммой становится выбор EEPROM или FLASH-памяти.

Для выбора подходящей технологии энергонезависимой памяти необходимо понять ключевое архитектурное различие между EEPROM и FLASH. Хотя в их основе лежит один физический принцип (транзистор с плавающим затвором), топология их ячеек кардинально отличается:

• EEPROM – каждая ячейка памяти имеет собственную обвязку из декодера и усилителя для записи и стирания, т.е. данные можно изменять точечно, что идеально подходят для хранения часто обновляемых параметров: настроек (яркость экрана, громкость), калибровочных коэффициентов, счетчиков и флагов состояния.
• FLASH - ячейки организованы в крупные массивы (страницы и блоки) с общей обвязкой. Такая архитектура, хоть и не дает возможности побайтового стирания, обеспечивает высокую плотность размещения ячеек, что снижает стоимость мегабайта, увеличивает скорость чтения/записи и уменьшает энергопотребление. Это делает FLASH идеальной для хранения больших, редко изменяемых массивов данных: программный код, файлы.

При этом рынок FLASH-памяти переживает взрывной рост, оставляя EEPROM далеко позади. Причина — кардинальный сдвиг в потребностях электроники: теперь в приоритете не одиночные байты, а высокая скорость и объемы для работы с большими данными.

GigaDevice Semiconductor является ведущим мировым поставщиком и разработчиком передовых технологий памяти, микроконтроллеров (MCU), датчиков, решений для аналоговой и силовой электроники. Одним из ключевых продуктов компании является FLASH-память, по поставкам которой компания занимает первое место в Китае и второе в мире.

Основными критериями при выборе FLASH-памяти являются объем и скорость памяти, которые сильно зависит от архитектуры - NOR или NAND.

• NOR flash – обладает меньшим объемом памяти по сравнению с NAND, более высокую стоимость за бит, но при этом имеет более высокую скорость чтения. Такую архитектуру стоит использовать для хранения программного кода, операционных систем во встроенных системах.
• NAND flash – больший объем данных, более высокая скорость записи, но при этом более низкая скорость чтения и более низкая стоимость за бит по сравнению с NOR. Этот тип архитектуры экономически целесообразно использовать для хранения больших операционных систем сложных устройств, таких как Android или WebOS.
  GD25Q32ESIGR Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ электропитание 3В 32Мбит 32M/16M/8M x 1/2-бит/4-бит 8нс 8-Pin SOP Производитель: GigaDevice Корпус: SO8W

  Наличие:

  1 727 шт

  
  

  Внешние склады:

  4 800 шт

  Аналоги:

  2 723 шт

  Цена от:

  от 21,11₽

  GD25Q80CEIGR Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ -40°С....+85°С USON8 3х2х0.45мм Производитель: GigaDevice Корпус: USON8

  Наличие:

  439 шт

  
  

  Цена от:

  от 23,31₽

  GD5F1GQ5UEYIGR Флэш-память архитектура И-НЕ 1Гбит питание 3.3В -40°С..+85°С 133МГц WSON-8(8x6) Производитель: GigaDevice Корпус: WSON-8 (6x8)

  Наличие:

  406 шт

  
  

  Внешние склады:

  2 521 шт

  Цена от:

  от 106,98₽

Однако стоит помнить, что скорость передачи данных зависит не только от архитектуры flash, но и от методов передачи данных. Все модели flash-памяти от GigaDevice Semiconductor, имеющиеся в нашем каталоге, для передачи данных используют интерфейс SPI, однако для увеличения скорости прибегают к увеличению числа линий приемо-передачи данных. Большая часть моделей flash-памяти поддерживает следующие вариации.

• Стандартный SPI – 4-проводный SPI, состоящий из линии передачи тактового сигнала (CLK), линии передачи данных от ведущего к ведомому (MOSI), линии передачи от ведомого к ведущему (MISO), линия выбора конкретного устройства (CS).
• Двойной/четырехканальный SPI - используют две/четыре двунаправленные линии данных, позволяя передавать за один такт два/четыре бита соответственно. В свою очередь, применение многоканального SPI создает дополнительную нагрузку на топологию печатной платы и на разработчиков ПО, которым в случае отсутствия соответствующей периферии необходимо написать дополнительный объем кода.   
• DTR (Double Transfer Rate) - удвоенная скорость передачи данных – особенность, доступная только в одной модели в нашем каталоге. Позволяет передавать данные по переднему и заднему фронту тактового сигнала, увеличивая скорость передачи данных еще в два раза.
  GD25Q127CYIGR Флэш-память архитектура ИЛИ-НЕ 128Мб (16M x 8) шина SPI счетверенный порт 104МГц [WSON-8 (6x8)] Производитель: GigaDevice Корпус: WSON-8 (6x8)

  Наличие:

  58 шт

  
  

  Цена от:

  от 213,51₽

Подробнее ознакомиться с ассортиментом flash-памяти от компании GigaDevice Semiconductor можно по ссылке или в списке ниже.