Новое поступление индуктивных элементов SMD-исполнения Shinhom Enterprise Co., Ltd
Тренд на миниатюризацию в электронном приборостроении — это не только вопрос эстетики или портативности. Это сложная инженерная задача, требующая пересмотра каждого элемента конструкции. Ключевым драйвером этого процесса стала повсеместная адаптация технологии поверхностного монтажа (SMD). В отличие от громоздких выводных аналогов, SMD-компоненты позволяют в разы увеличить плотность монтажа, отказаться от сверления отверстий в платах и полностью автоматизировать процесс сборки.
Shinhom Enterprise Co., Ltd. — это крупный китайский производитель индуктивных компонентов с более чем 25-летней историей, предлагающий широкий ассортимент продукции для электронной промышленности.
При подборе SMD-индуктивностей для вашего проекта помимо базовых параметров — номинальной индуктивности, допуска и максимального тока — необходимо уделить внимание двум ключевым характеристикам, которые напрямую влияют на стабильность и эффективность работы схемы.
• DCR (сопротивление по постоянному току) — представляет собой активное сопротивление обмотки катушки. В отличие от выводных компонентов, где возможно использование более толстого провода, в миниатюрных SMD-индуктивностях применяется тонкий проводник, что приводит к повышенному значению DCR. Это увеличивает потери мощности и нагрев элемента, особенно в цепях с высоким током.
![]() |
SDRH5D18-100N-1.2A Силовая SMD-индуктивность экранированная 10мкГн ±20% 1.2A 124мОм |
• Isat (ток насыщения) — параметр, определяемый магнитными свойствами сердечника. При достижении этого значения происходит насыщение магнитного материала, что вызывает резкое уменьшение индуктивности катушки. Для обеспечения надежной работы схемы критически важно выбирать катушку индуктивности с запасом по току насыщения, учитывая не только номинальный ток, но и возможные пиковые нагрузки.
![]() |
AISM1812-101K-0.11A Проволочная SMD-индуктивность на ферритовом сердечнике 0.796МГц 100мкГн ±10% 110мА RDC 8Ом 40Q |
SDRH5D18-100N-1.2A ; AISM1812-101K-0.11A
Рисунок 1 – Зависимость индуктивности от постоянного тока для SMD-индуктивностей Shinhom Enterprise Co., Ltd
Помимо проволочных SMD-индуктивностей, существуют многослойные SMD-индуктивности (MLCI - multi-layer ceramic inductors), которые принципиально отличаются по конструкции и свойствам. Если проволочные модели создаются намоткой медного проводника на сердечник, то многослойные изготавливаются по технологии послойного спекания керамики и проводящих спиралей, образуя монолитный компонент без традиционной катушки. Это обеспечивает им исключительную механическую стойкость к вибрациям и минимальные габариты.
![]() |
AIML0402C-R10J-0.1A Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 100нГн ±5% 100мА RDC 1.5Ом 8Q |
![]() |
AIML0603C-47NJ-0.4A Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 47нГн ±5% 400мА RDC 0,7Ом 12Q |
![]() |
AIML0402C-2N2S-0.9A Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 2.2нГн ±0.3нГн 900мА, RDC 90мОм 8Q |
AIML0402C-R10J-0.1A ; AIML0603C-47NJ-0.4A ; AIML0402C-2N2S-0.9A
Подробнее ознакомиться с ассортиментом SMD-индуктивностей можно по ссылке или в перечне ниже.
AIML0603C-22NJ-0.5A
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 22нГн ±5% 500мА RDC 0,5Ом 12Q
LQH1812-100K-0.4A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 400мА DCR 0.56Ом
SDR0705-221K-0.49A
Катушка индуктивности SMD силовая 1кГц 220мкГн ±10%, 0.49A, DCR 96мОм 12Q
SDR0504-470K-0.72A
Катушка индуктивности SMD силовая 100кГц 47мкГн ±10%, 0.72A, DCR 0.37Ом 22Q
SDRH1207-102M-0.48A
Силовая SMD индуктивность экранированная 1000мкГн ±20% 0.48A 1.68Ом
LPS6045-220M-1.9A
Катушка индуктивности SMD экранированная 100кГц 22мкГн ±20%, 1.9A, DCR 136.5мОм
SDR0705-331K-0.4A
Катушка индуктивности SMD силовая 1кГц 330мкГн ±10%, 0.4A, DCR 1.26Ом 12Q
SDRH104-470N-1.95A
Силовая SMD индуктивность экранированная 47мкГн ±30% 1.95A 128мОм
LQH1210-1R0M-0.445A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 1мкГн ±20% 445мА DCR 0.5Ом 20Q
AISM1008-101J-0.06A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 0.796МГц 100мкГн ±5% 60мА RDC 21Ом 15Q
LQH1812-471K-0.08A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1кГц 470мкГн ±10% 80мА DCR 11.8Ом
AISC0805-R15J-0.4A
Проволочная SMD индуктивность на керамике 100МГц 150нГн ±5% 400мА RDC 0.56Ом 45Q
AIML0402C-7N5J-0.4A
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 7.5нГн ±5% 400мА RDC 0,24Ом 8Q
AIML0402C-R10J-0.1A
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 100нГн ±5% 100мА RDC 1.5Ом 8Q
AIML0402C-3N9S-0.7A
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 3.9нГн ±0.3нГн 700мА, RDC 0.13Ом 8Q
AIML0402C-2N2S-0.9A
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 2.2нГн ±0.3нГн 900мА, RDC 90мОм 8Q
LPM0630-4R7M-5.5A
Катушка индуктивности SMD силовая 100кГц 4.7мкГн ±20%, 5.5A, DCR 40мОм
AIML0603C-47NJ-0.4A
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 47нГн ±5% 400мА RDC 0,7Ом 12Q
SDRH1207-470M-2.7A
Силовая SMD индуктивность экранированная 47мкГн ±20% 2.7A 82мОм
SDRH5D18-100N-1.2A
Силовая SMD-индуктивность экранированная 10мкГн ±20% 1.2A 124мОм
SDRH1207-101M-1.9A
Силовая SMD индуктивность экранированная 100мкГн ±20% 1.9A 220мОм
AISM1210-100K-0.15A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 2.52МГц 10мкГн ±10% 150мА RDC 2.1Ом 30Q
AISC0805-R10J-0.35A
Проволочная SMD индуктивность на керамике 150МГц 100нГн ±5% 350мА RDC 0.42Ом 40Q
AISM1210-100K-0.18A
Проволочная SMD индуктивность на ферритовом сердечнике 1МГц 10мкГн ±10% 180мА RDC 1.6Ом 27Q
SDR1006-101K-0.97A
Катушка индуктивности SMD проволочная, на ферритовом сердечнике 1кГц 100мкГн ±10% 0.97А DCR 0.35Ом 15Q
SDR0504-101K-0.68A
Катушка индуктивности SMD силовая 100кГц 100мкГн ±10%, 0.68A, DCR 100мОм 20Q
AISM1812-101K-0.11A
Проволочная SMD-индуктивность на ферритовом сердечнике 0.796МГц 100мкГн ±10% 110мА RDC 8Ом 40Q
SDRH1207-221M-1.3A
Силовая SMD индуктивность экранированная 220мкГн ±20% 1.3A 380мОм
AIML0402C-10NJ-0.5A
Многослойная индуктивность SMD на керамике 100МГц 10нГн ±5% 500мА RDC 0,29Ом 8Q
AIML0805-2R2K-0.03A
Многослойная индуктивность SMD на ферритовом сердечнике 10МГц 2,2мкГн ±10% 30мА RDC 0,63Ом 45Q
SDRH1004-101M-1.05A
Силовая SMD индуктивность экранированная 100мкГн ±20% 1.05A 375мОм
- Абакан
- Альметьевск
- Ангарск
- Арзамас
- Армавир
- Артем
- Архангельск
- Астрахань
- Ачинск
- Балаково
- Балашиха
- Барнаул
- Батайск
- Белгород
- Бердск
- Березники
- Бийск
- Биробиджан
- Благовещенск
- Братск
- Брянск
- Великий Новгород
- Видное
- Владивосток
- Владикавказ
- Владимир
- Волгоград
- Волгодонск
- Волжский
- Вологда
- Воронеж
- Грозный
- Дербент
- Дзержинск
- Димитровград
- Долгопрудный
- Домодедово
- Екатеринбург
- Ессентуки
- Жуковский
- Златоуст
- Иваново
- Ижевск
- Иркутск
- Йошкар-Ола
- Казань
- Калининград
- Калуга
- Каменск-Уральский
- Камышин
- Каспийск
- Кемерово
- Киров
- Кисловодск
- Ковров
- Коломна
- Комсомольск-на-Амуре
- Копейск
- Королёв
- Кострома
- Красногорск
- Краснодар
- Красноярск
- Курган
- Курск
- Кызыл
- Липецк
- Люберцы
- Магнитогорск
- Майкоп
- Махачкала
- Миасс
- Михайловск
- Москва
- Мурманск
- Муром
- Мытищи
- Набережные Челны
- Назрань
- Нальчик
- Находка
- Невинномысск
- Нефтекамск
- Нефтеюганск
- Нижневартовск
- Нижнекамск
- Нижний Новгород
- Нижний Тагил
- Новокузнецк
- Новомосковск
- Новороссийск
- Новосибирск
- Новочебоксарск
- Новочеркасск
- Новошахтинск
- Новый Уренгой
- Ногинск
- Норильск
- Ноябрьск
- Обнинск
- Одинцово
- Октябрьский
- Омск
- Орёл
- Оренбург
- Орехово-Зуево
- Орск
- Пенза
- Первоуральск
- Пермь
- Петрозаводск
- Петропавловск-Камчатский
- Подольск
- Прокопьевск
- Псков
- Пушкино
- Пятигорск
- Раменское
- Реутов
- Ростов-на-Дону
- Рубцовск
- Рыбинск
- Рязань
- Салават
- Самара
- Санкт-Петербург
- Саранск
- Саратов
- Северодвинск
- Северск
- Сергиев Посад
- Серпухов
- Смоленск
- Сочи
- Ставрополь
- Старый Оскол
- Стерлитамак
- Сургут
- Сызрань
- Сыктывкар
- Таганрог
- Тамбов
- Тверь
- Тобольск
- Тольятти
- Томск
- Тула
- Тюмень
- Улан-Удэ
- Ульяновск
- Уссурийск
- Уфа
- Хабаровск
- Ханты-Мансийск
- Хасавюрт
- Химки
- Чебоксары
- Челябинск
- Череповец
- Черкесск
- Чита
- Шахты
- Щёлково
- Электросталь
- Элиста
- Энгельс
- Южно-Сахалинск
- Якутск
- Ярославль
This site is protected by reCAPTCHA and the Google
Privacy Policy and Terms of Service apply.



