Новое поступление на склад диодов, транзисторов и оптоэлектроники от "Fairchild Semiconductor"
13.11.2009
| Наименование | Краткое описание | Корпус | Минимальная оптовая партия, шт. | Оптовая цена*, руб. |
| Корпусные диоды | ||||
| 1N4004 | Диод 400В/1А/3Вт, Vf=1.1B | DO-41 | 2500 | 0,50 |
| 1N4007 | Диод 1000В/1А/3Вт, Vf=1.1B | DO-41 | 25000 | 0,45 |
| FEP16GT | Диод х2 400В/ 16А/ 45нс общий катод, Ultrafast | TO220 | 350 | 18,06 |
| Транзисторы | ||||
| FCA47N60 | MOSFET N-канал 600В/47А/0.058 Ом, Ультранизкий заряд затвора (тип. Qg = 210нК), SuperFET | TO3P | 60 | 279,99 |
| FCP20N60 | MOSFET N-канал 600В/20А/0.15 Ом, Ультранизкий заряд затвора (тип. Qg = 75 нК), SuperFET | TO220 | 500 | 123,47 |
| FCP7N60 | MOSFET N-канал 600В/7А/0.6 Ом/83Вт , серия "SuperFET" | TO220 | 250 | 37,79 |
| FCPF11N60 | MOSFET N-канал 650В/11А/0.32 Ом/36Вт , серия "SuperFET" | TO220F | 200 | 52,13 |
| FCPF11N60F | MOSFET N-канал 650В/11А/0.32 Ом/36Вт , серия "SuperFET" | TO220F | 150 | 56,24 |
| FCPF11N60T | MOSFET N-канал 650В/11А/0.38 Ом/36Вт , серия "SuperFET" | TO220F | 150 | 53,11 |
| FCPF11N60NT | 600V N-Channel MOSFET SupreMOS™ | TO220F | 250 | 22,42 |
| FQP11N40C | MOSFET N-канал 400В/10.5А/0.43Ом/135Вт, серия "QFET" | TO220 | 250 | 16,91 |
| FQP17N40 | MOSFET N-канал 400В/16А/0.21Ом/170Вт, серия "QFET" | TO220 | 200 | 35,19 |
| FQP18N50V2 | MOSFET N-канал 500В/18А/0.225 Ом/208Вт, быстрое переключение, Qg=42 нК, Crss=11 пф(тип), QFET | TO220 | 250 | 57,18 |
| FQP9N50 | MOSFET N-канал 500В/9А/0.73 Ом, быстрое переключение, Qg=28 нК, Crss=20 пф(тип), QFET | TO220 | 500 | 19,83 |
| HGTG12N60A4D | IGBT 600В/54А/167Вт/Uкэ нас.=2.0В, встроенный Hyperfast диод, >100кГц ,trise/fall=8/18нс | TO247 | 150 | 97,87 |
| HGTG30N60A4D | IGBT серии Ultrafast N-канал 600В/60А/Uкэ(нас)=1,45В, trise/fall=24/90 нс, встроенный диод | TO247 | 60 | 185,54 |
| HGTG30N60B3D | IGBT серии Ultrafast N-канал 600В/60А/Uкэ(нас)=1,45В, встроенный Hyperfast диод, trise/fall=24/90 нс | TO247 | 50 | 150,34 |
| HGTG30N60C3D | IGBT серии Ultrafast N-канал 600В/63А/Uкэ(нас)=1,45В, встроенный Hyperfast диод | TO247 | 30 | 159,70 |
| HGTG30N60A4 | IGBT серии Ultrafast N-канал 600В/60А/Uкэ(нас)=1,45В, trise/fall=24/90 нс | TO247 | 60 | 196,34 |
| HGTP12N60A4D | IGBT N-канал 600В/54А/Uкэ(нас)=2В, встроенный Hyperfast диод, 200 кГц | TO220 | 50 | 83,25 |
| FGA20N120FTD | IGBT 1200В/20А/220Вт/Uкэ нас.=1.6В, встроенный диод, trise/fall=79/217нс, field stop trench technology | TO3PN | 30 | 74,13 |
| FGA25N120ANTD | IGBT 1200В/25А/312Вт/Uкэ нас.=2.0В, встроенный диод, trise/fall=60/100нс | TO3P | 150 | 87,90 |
| FGL40N120ANDTU | IGBT серии AND 1200В/64А/500Вт/Uкэ нас.=2.6В, встроенный диод, trise/fall=20/40нс | TO264 | 125 | 247,16 |
| FSAM30SH60A | SPM (SMART Power Modul) IGBT 600В/30А/2400Вт/3фазы | SPM32AA | 40 | 917,92 |
| BC847BMTF | NPN 45В/0.1А Кус.=200-450 | SOT23 | 3000 | 0,40 |
| Микросхемы импульсных источников питания | ||||
| FSCQ0765RTYDTU | ШИМ-контроллер со встроенным ключом 650 В(FPS) 85-265В/7 А/100Вт, квазирезонансный режим | TO220F/5 | 100 | 52,26 |
| FSCQ1265RTYDTU | SMPS для квазирезонансных источников питания. 650В, 11A | TO220F/5 | 100 | 64,69 |
| FSFR2100 | Контроллер резонансного ИИП со встроенным ключом P=450Вт(радиатор)/200Вт Ключ: Uds= 600В Id=11A P=12Вт f до 300кГц trr=120нс Rdson=0,38Ом -40...+130°С | SIP9 | 95 | 193,12 |
| Оптоэлектроника | ||||
| H11A817B | Опто транзистор x1 5.0kV 35V 0.05A Кус=130...260% 0.2W -30...+100C NBC | DIP4 | 500 | 3,25 |
| CNY17F3M | Опто транзистор x1 7.5kV 70V 0.05A Кус=100...200% 0.25W -40...+100 °C | DIP8 | 1000 | 6,97 |
| HCPL0601 | Оптоинтерфейс х1 10МБит 3.75 кВ Выход ОК (стробируемый) 8 ТТЛ нагрузок без буфера Uпит=5.5В -40…+85С Устойчивость к возд. синф. помех 5 кВ/мкс | SOP8 | 150 | 40,55 |
| HCPL-2531 | Опто логический выход х2 1МБод 2.5kV Кус=19% dV/dt=1000 V/мкс | DIP8 | 250 | 25,55 |
| HCPL-2630 | Опто интерфейс х2 10МБод | DIP8 | 150 | 47,26 |
| 6N137S | Опто интерфейс 10 Mбит/с 2.5 кВ Выход ОК -40…+85С Устойчивость к возд. синф. помех 10 кВ/мкс | SMDIP8 | 250 | 13,73 |
| Драйверы, ключи | ||||
| FAN7382M | Драйвер полумостовой. Uсм=600В, Uвых=-9/18В, Iвых=0.35/0.65A, Uвых в фазе с Uвх, повышенная помехоустойчивость | SOP8 | 180 | 26,66 |
*Приведены оптовые цены с учетом НДС. В случае заказа количества менее оптового, будут действовать мелкооптовые или розничные цены.
Адрес сайта производителя: http://www.fairchildsemi.com/Получить более подробную информацию по продукции "Fairchild Semiconductor", заказать образцы и отладочные платы Вы можете в отделе дистрибуции:
Бренд-менеджер отдела дистрибуции:
Подрезенко Алексей
E-mail: fairchild@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372 92 42
Техническая поддержка:
Колесников Никита
E-mail: support@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372 92 27
По вопросам оптовых продаж обращайтесь:
E-mail: pr@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372 92 28
ЗАО "Промэлектроника" является официальным дилером "Fairchild Semiconductor"
Последние новости - одной лентой: 