Силовые MOSFET-транзисторы фирмы STMicroelectronics выполненные по технологии MDmesh V

 
Фирма STMicroelectronics  является одним из ведущих производителей высоковольтных силовых MOSFET-транзисторов. Каждый пятый высоковольтный транзистор в источнике питания или другом силовом устройстве  произведен STMicroelectronics.  В прошлом году на рынок выпущена серия приборов выполненных по технологии  650В MDmeshV.

MDmeshV – инновационная технология производства кристаллов для силовых высоковольтных транзисторов от фирмы STMicroelectronics. Эта технология была освоена в 2001г. Первые серийные транзисторы  ТMDmesh II серий NM и M с напряжением 300..650В увидели свет четырьмя годами позже.

В чем же выгода от применения транзисторов выполненных по этой технологии? В чем отличие от других приборов, имеющихся на рынке? Ответ прост. Инженеры, занятые в секторе силовой электроники знают, что одним из главных параметров любой силовой установки является ее эффективность. Любой силовой прибор, в том числе и транзистор, имеет собственные потери. Потери делятся на два вида: динамические и статические. Статические потери возникают при протекании электрического тока по открытому каналу транзистора. Сопротивление канала транзистора имеет хоть и небольшое, но вполне определенное значение, соответственно выбирая транзистор с минимальным значением этого параметра, мы уменьшаем и потери. Технология MDmesh V позволяет получить превосходные значения по величине сопротивления открытого канала на единицу площади кристалла. Кроме статических потерь, огромное значение в повышении эффективности имеют и динамические потери на ключе, потери при переключении. Однако технология  MDmeshV позволяет приборам этой серии показать и здесь отличные параметры, благодаря низким значениям заряда затвора и выходной емкости.  Для примера давайте сравним параметры транзистора STP16N65M5 с аналогичными транзисторами, доступными на рынке.

Дополнительным бонусом для разработчиков является повышенное до 650В, максимально-допустимое напряжение «сток-исток», это дает дополнительный запас надежности по сравнению со стандартным значением 600В у высоковольтных транзисторов других производителей. Разнообразие корпусов в которых производятся приборы, тоже играет большую роль в удобстве использования этих элементов. Следует отметить, что фирмой STMicroelectronics освоено производство транзисторов в малогабаритных PowerFLAT™ 8x8 HVкорпусах. Этот корпус имеет габариты 8х8 мм. и толщину 1 мм. Технология применения этих корпусов такова, что позволяет снимать тепло с обеих сторон,  и, как следствие, значительно улучшить тепловые условия эксплуатации транзистора и уменьшить габариты прибора в целом.  

 Получить более подробную информацию по приборам, заказать образцы транзисторов Вы можете в инженерном отделе компании "ПРОМЭЛЕКТРОНИКА":
Милёхин Дмитрий
E-mail: stm@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372-92-27

Техническая поддержка:
E-mail: support@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 372 92 27

Последние новости - одной лентой: