LM5113 — новый высокоскоростной драйвер полевых транзисторов
20.08.2012
LM5113 — это высокоинтегрированный, 5-амперный, 100-вольтовый полумостовой драйвер затвора, позволяющий увеличить эффективность мощных высоковольтных приложений. LM5113 предназначен для управления полевыми транзисторами на основе технологии eGaN (enhancement-mode GaN) в режиме верхнего и нижнего плеча в синхронной повышающей или полумостовой конфигурациях. Драйвер верхнего ключа способен управлять eGaN-транзисторами c рабочим напряжением до 100 В. Напряжение смещения верхнего ключа генерируется методом bootstrap и внутренне ограничено уровнем 5 В, не позволяя напряжению затвора превысить максимально допустимое напряжение затвор-исток eGaN-транзистора. Входы LM5113 совместимы с логическим TTL уровнем и способны выдерживать напряжение вплоть до 14 В независимо от напряжения питания.
Типовая схема включения
Отличительные особенности:
- Независимые, TTL-совместимые входы управления драйверов верхнего и нижнего ключа
- Пиковый ток: входящий — 1.2А; исходящий — 5А
- Шина напряжения смещения верхнего ключа до 100 В постоянного тока
- Независимые выходы для регулировки интенсивности включения/выключения
- Малое время задержки распространения сигнала: 28 нс (тип.)
- Схема защиты от недопустимого снижения напряжения (UVLO) шины питания
- Малый ток потребления
- Рабочая температура: -40…+125°C
- 10-выводной корпус LLP, размером 4 х 4 мм
Доступна отладочная плата Evaluation Board for the LM5113.
Получить более подробную информацию по продукции Texas Instruments и заказать образцы Вы можете, обратившись:
E-mail: info@promelec.ru
Телефон: +7 (343) 245-68-20
Задать вопрос техподдержке вы можете на нашем форуме.
Последние новости - одной лентой: