MIEB101H1200EH, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module H Bridge
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
28 210,33 руб.
Нет в наличии
Описание MIEB101H1200EH
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Серия | MIEB101H1200EH |
| ECCN | EAR99 |
| Вес изделия | 300 g |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | E3-Pack |
| Pd - рассеивание мощности | 630 W |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 183 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Способы доставки в Калининград
Доставка MIEB101H1200EH , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module H Bridge
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 335 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2363 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара