IXGT32N170, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
3 757,88 руб.
Нет в наличии
Описание IXGT32N170
| Вес изделия | 4.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Серия | IXGT32N170 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Высота | 5.1 mm |
| Длина | 16.05 mm |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Ширина | 14 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 350 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.7 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 200 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Непрерывный коллекторный ток | 75 A |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXGT32N170 , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 72 Amps 1700 V 3.3 V Rds
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 279 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара