APT51M50J, Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS8

Код товара: 10003811

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
APT51M50J
Производитель:

Описание APT51M50J

Вид монтажаScrew Mount
Длина38.2 mm
Ширина25.4 mm
Высота9.6 mm
Коммерческое обозначениеPOWER MOS 8, ISOTOP
Вес изделия30 g
ECCNEAR99
ПродуктPower MOSFET Modules
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура55 C
УпаковкаTube
Упаковка / блокSOT-227-4
Количество каналов1 Channel
Pd - рассеивание мощности480 W
КонфигурацияSingle
Полярность транзистораN-Channel
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Время спада39 ns
Id - непрерывный ток утечки51 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток64 mOhms
Время нарастания55 ns
Типичное время задержки выключения120 ns
Типичное время задержки при включении45 ns
Vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка APT51M50J , Дискретные полупроводниковые модули Power MOSFET - MOS8 в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.