APTGT200TL60G, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) power module - igbt
Описание APTGT200TL60G
Вид монтажа | Chassis Mount |
---|---|
Вес изделия | 110 g |
ECCN | EAR99 |
Продукт | IGBT Silicon Modules |
Максимальная рабочая температура | + 100 C |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | SP6 |
Pd - рассеивание мощности | 652 W |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 300 A |
Ток утечки затвор-эмиттер | 800 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара