IXFH20N50P3, МОП-транзистор Polar3 HiPerFET Power МОП-транзистор
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание IXFH20N50P3
| Вес изделия | 1.600 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFH20N50 |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 300 mOhms |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара