FP150R12KT4P_B11, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
64 466,63 руб.
Нет в наличии
Описание FP150R12KT4P_B11
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Tray |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | EconoPIM 3 |
| Конфигурация | Hex |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FP150R12KT4P_B11 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара