IXTP1R6N50D2, МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 1.6A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
299,84 руб.
Нет в наличии
Описание IXTP1R6N50D2
| Продукт | MOSFET |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTP1R6N50 |
| Упаковка | Tube |
| Вес изделия | 2.300 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 100 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.6 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.3 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 23.7 nC |
| Канальный режим | Depletion |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 1.75 S |
| Время спада | 41 ns |
| Время нарастания | 70 ns |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 25 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTP1R6N50D2 , МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 1.6A
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 668 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 363 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 194 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара