Jantxv2N2219A, биполярные транзисторы - bjt bjts
Описание Jantxv2N2219A
Вид монтажа | Through Hole |
---|---|
Упаковка / блок | TO-39-3 |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Максимальная рабочая температура | + 200 C |
Упаковка | Bulk |
Вес изделия | 1.842 g |
ECCN | EAR99 |
Pd - рассеивание мощности | 800 mW |
Технология | Si |
Полярность транзистора | NPN |
Конфигурация | Single |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 300 mV |
Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 75 at 1 mA, 10 VDC |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 325 at 1 mA, 10 VDC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара