BSM300GA120DN2, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
44 330,66 руб.
Нет в наличии
Описание BSM300GA120DN2
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 106.4 mm |
| Ширина | 61.4 mm |
| Высота | 36.5 mm |
| Упаковка / блок | 62 mm |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Pd - рассеивание мощности | 2500 W |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 430 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 320 nA |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSM300GA120DN2 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A SINGLE
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 139 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара