TGF3015-SM, РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
12 944,51 руб.
Нет в наличии
Описание TGF3015-SM
| ECCN | EAR99 |
|---|---|
| Упаковка | Tray |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | QFN-EP-16 |
| Выходная мощность | 11 W |
| Тип транзистора | HEMT |
| Технология | GaN SiC |
| Pd - рассеивание мощности | 15.3 W |
| Рабочая частота | 0.03 GHz to 3 GHz |
| Усиление | 17.1 dB |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 32 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 557 mA |
| Средства разработки | TGF3015-SM-EVB1 |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 2.7 V |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка TGF3015-SM , РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 236 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2243 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара
