IXTP80N12T2, МОП-транзистор MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
311,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXTP80N12T2
| Продукт | Power MOSFET Modules |
|---|---|
| Коммерческое обозначение | HiPerFET |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Вес изделия | 3 g |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Trench T2 |
| Pd - рассеивание мощности | 325 W |
| Время спада | 28 ns |
| Время нарастания | 14 ns |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 120 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Qg - заряд затвора | 80 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Типичное время задержки выключения | 39 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTP80N12T2 , МОП-транзистор MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2075 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара