2N2222AUB, биполярные транзисторы - bjt npn g.p. transistor
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2N2222AUB
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Высота | 1.37 mm |
| Длина | 3.18 mm |
| Ширина | 2.67 mm |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.8 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 50 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 325 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара