2SC5200N(S1.E.S), биполярные транзисторы - bjt power transistor pc=150w;f=30mhz
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W;F=30MHZ
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
2SC5200N(S1.E.S)
Описание 2SC5200N(S1.E.S)
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
|---|---|
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-3P-3 |
| Серия | 2SC5200 |
| Вес изделия | 7 g |
| ECCN | EAR99 |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 230 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 15 A |
| Непрерывный коллекторный ток | 15 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 230 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.4 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 30 MHz |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 35 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара