APT75GP120J, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) insulated gate bipolar transistor - pt power mos 7 - single
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание APT75GP120J
| Вид монтажа | Chassis Mount |
|---|---|
| Длина | 38.2 mm |
| Ширина | 25.4 mm |
| Высота | 9.6 mm |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP |
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 543 W |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.3 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 128 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара