CSD25404Q3T, моп-транзистор -20v, p-channel nexfet pwr моп-транзистор
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
МОП-транзистор -20V, P-channel NexFET Pwr МОП-транзистор
Производитель:
Texas Instruments
Артикул:
CSD25404Q3T
Описание CSD25404Q3T
| Серия | CSD25404Q3 |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Длина | 3.3 mm |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 44.500 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | Power MOSFET |
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Упаковка / блок | VSON-CLIP-8 |
| Коммерческое обозначение | NexFET |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Pd - рассеивание мощности | 96 W |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 104 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6.5 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 650 mV |
| Qg - заряд затвора | 10.8 nC |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 47 S |
| Время спада | 13 ns |
| Время нарастания | 8 ns |
| Типичное время задержки выключения | 35 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара