FF600R07ME4_B11, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) igbt module 600a 650v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT Module 600A 650V
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
FF600R07ME4_B11
Описание FF600R07ME4_B11
| Серия | Trenchstop IGBT4 - E4 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 345 g |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EconoDUAL PressFIT |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1800 W |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 700 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара