Jantx2N5666, биполярные транзисторы - bjt power bjt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Производитель:
Microchip Technology Inc.
Артикул:
Jantx2N5666
Описание Jantx2N5666
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 250 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 75 at 1 A at 5 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1 A at 5 VDC |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара