Jantx2N5666, Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
Jantx2N5666
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
3 493,27 руб.
Нет в наличии
Описание Jantx2N5666
| Вид монтажа | Through Hole |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Упаковка | Bulk |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |
| Pd - рассеивание мощности | 1.2 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | NPN |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 200 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 250 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 400 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 5 A |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 75 at 1 A at 5 VDC |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 1 A at 5 VDC |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка Jantx2N5666 , Биполярные транзисторы - BJT Power BJT
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара