A2C25S12M3, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION

Код товара: 10021257

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
A2C25S12M3
Производитель:

Описание A2C25S12M3

ТехнологияSi
СерияA2C25S12M3
УпаковкаTray
Коммерческое обозначениеACEPACK
Вес изделия42 g
ECCNEAR99
Вид монтажаThrough Hole
Упаковка / блокACEPACK2
КонфигурацияConverter Inverter Brake
Минимальная рабочая температура40 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
ПродуктIGBT Silicon Modules
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C25 A
Pd - рассеивание мощности197 W
Ток утечки затвор-эмиттер500 nA

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка A2C25S12M3 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 278
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.