A2C25S12M3, модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (igbt) ptd new mat & pwr solution
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PTD NEW MAT & PWR SOLUTION
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
A2C25S12M3
Описание A2C25S12M3
| Технология | Si |
|---|---|
| Серия | A2C25S12M3 |
| Упаковка | Tray |
| Коммерческое обозначение | ACEPACK |
| Вес изделия | 42 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | ACEPACK2 |
| Конфигурация | Converter Inverter Brake |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 25 A |
| Pd - рассеивание мощности | 197 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара