A3G35H100-04SR3, рч моп-транзисторы airfast rf power gan transistor, 3400-3600 mhz, 14 w avg., 48 v
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
A3G35H100-04SR3
Описание A3G35H100-04SR3
| Тип | RF Power MOSFET |
|---|---|
| Упаковка / блок | NI-780S-4L |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Рабочая частота | 3400 MHz to 3600 MHz |
| Выходная мощность | 14 W |
| Полярность транзистора | Dual N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 125 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.04 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Усиление | 14 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара