A3G35H100-04SR3, РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
27 818,71 руб.
Нет в наличии
Описание A3G35H100-04SR3
| Тип | RF Power MOSFET |
|---|---|
| Упаковка / блок | NI-780S-4L |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Рабочая частота | 3400 MHz to 3600 MHz |
| Выходная мощность | 14 W |
| Полярность транзистора | Dual N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 125 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 8.04 mA |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Усиление | 14 dB |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка A3G35H100-04SR3 , РЧ МОП-транзисторы Airfast RF Power GaN Transistor, 3400-3600 MHz, 14 W Avg., 48 V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара