2N3419, биполярные транзисторы - bjt power bjt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2N3419
| Упаковка | Bulk |
|---|---|
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 200 C |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-5-3 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Полярность транзистора | NPN |
| Конфигурация | Single |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 125 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 8 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 250 mV |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at 1 A, 2 V |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 60 at 1 A, 2 V |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара