FP35R12KT4_B15, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 35A
Артикул:
FP35R12KT4_B15
Производитель:
Описание FP35R12KT4_B15
| Серия | Trenchstop IGBT4 - T4 |
|---|---|
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP EconoPIM |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Вес изделия | 209 g |
| Упаковка | Tray |
| Pd - рассеивание мощности | 210 W |
| Технология | Si |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара