IXFH24N80P, МОП-транзистор DIODE Id24 BVdass800
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXFH24N80P
| Вес изделия | 6.500 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXFH24N80 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Ширина | 5.3 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 650 W |
| Коммерческое обозначение | HyperFET |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 24 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Типичное время задержки выключения | 75 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 25 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXFH24N80P , МОП-транзистор DIODE Id24 BVdass800
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 2077 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 611 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 345 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 196 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара