VRF150, рч моп-транзисторы rf mosfet (vdmos)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание VRF150
| Выходная мощность | 150 W |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Диапазон рабочих температур | 65 C to + 150 C |
| Pd - рассеивание мощности | 300 W |
| Рабочая частота | 150 MHz |
| Технология | Si |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 40 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 180 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.6 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.5 mS |
| Усиление | 18 dB |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара