IXTN32P60P, MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
5 875,64 руб.
Нет в наличии
Описание IXTN32P60P
| Продукт | Power MOSFET |
|---|---|
| Вес изделия | 30 g |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Серия | IXTN32P60 |
| Упаковка | Tube |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 890 W |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 32 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 196 nC |
| Время спада | 33 ns |
| Время нарастания | 27 ns |
| Типичное время задержки выключения | 95 ns |
| Типичное время задержки при включении | 37 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 32 S / 21 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTN32P60P , MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 169 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2231 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара