IXTP05N100, МОП-транзистор 0.75 Amps 1000V 15 Rds
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
399,12 руб.
Нет в наличии
Описание IXTP05N100
| Вес изделия | 2.300 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Серия | IXTP05N100 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | High Voltage Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Высота | 16 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Ширина | 4.83 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 40 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 750 mA |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 17 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
| Qg - заряд затвора | 7.8 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 28 ns |
| Время нарастания | 19 ns |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.55 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTP05N100 , МОП-транзистор 0.75 Amps 1000V 15 Rds
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара