FF75R12RT4, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 75A
Артикул:
FF75R12RT4
Производитель:
Описание FF75R12RT4
| Серия | Trenchstop IGBT4 - T4 |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 160 g |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 395 W |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.15 V |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара