FF200R12KT3, Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
26 573,43 руб.
Нет в наличии
Описание FF200R12KT3
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
|---|---|
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Упаковка | Tray |
| Вес изделия | 340 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Длина | 106.4 mm |
| Ширина | 61.4 mm |
| Высота | 30.9 mm |
| Упаковка / блок | 62 mm |
| Конфигурация | Dual |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 295 A |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Способы доставки в Калининград
Доставка FF200R12KT3 , Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 295A
в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 357 ₽
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2462 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1574 ₽
Почта России
от 17 раб. дней
от 733 ₽
СДЭК
от 4 раб. дней
от 832 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара