CGHV1F006S, рч полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом gan hemt dc-18ghz, 6 watt
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание CGHV1F006S
| Вид монтажа | SMD/SMT |
|---|---|
| Вес изделия | 1.449 g |
| ECCN | EAR99 |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | DFN-12 |
| Технология | GaN |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Диапазон рабочих температур | 40 C to + 150 C |
| Конфигурация | Single |
| Усиление | 16 dB |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 950 mA |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Тип транзистора | HEMT |
| Рабочая частота | 18 GHz |
| Выходная мощность | 6 W |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара