VN2210N2, МОП-транзистор 100V 0.35Ohm
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание VN2210N2
| Тип | FET |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-39-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Длина | 9.4 mm |
| Ширина | 9.4 mm |
| Высота | 6.6 mm |
| Упаковка | Bulk |
| Вес изделия | 1.109 g |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 6 W |
| Конфигурация | Single |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.7 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 350 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 30 ns |
| Время нарастания | 10 ns |
| Типичное время задержки выключения | 50 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара