IXTT48P20P
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXTT48P20P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET, P-CH, 200V, 48A, TO-268; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:48A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Thresh 03AH1845
В упаковке:
30 шт
Цена от:
1 835,69 руб.
Нет в наличии
Описание IXTT48P20P
| Упаковка | Tube |
|---|---|
| Серия | IXTT48P20 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Технология | Si |
| Высота | 5.1 mm |
| Длина | 16.05 mm |
| Ширина | 14 mm |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Вес изделия | 4.500 g |
| ECCN | EAR99 |
| Упаковка / блок | TO-268-3 |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 48 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 85 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Qg - заряд затвора | 103 nC |
| Pd - рассеивание мощности | 462 W |
| Канальный режим | Enhancement |
| Время нарастания | 46 ns |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Время спада | 27 ns |
| Типичное время задержки выключения | 67 ns |
| Типичное время задержки при включении | 30 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTT48P20P
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара