IXTN22N100L, MOSFET 22 Amps 1000V
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
218,98 руб.
Нет в наличии
Описание IXTN22N100L
| Вес изделия | 30 g |
|---|---|
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Серия | IXTN22N100 |
| Упаковка | Tube |
| Тип | Linear Power MOSFET |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Упаковка / блок | SOT-227-4 |
| Высота | 12.22 mm |
| Длина | 38.23 mm |
| Ширина | 25.42 mm |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Pd - рассеивание мощности | 700 W |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Id - непрерывный ток утечки | 22 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 600 mOhms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Qg - заряд затвора | 270 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Время спада | 50 ns |
| Время нарастания | 35 ns |
| Типичное время задержки выключения | 80 ns |
| Типичное время задержки при включении | 36 ns |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 4.5 S |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IXTN22N100L , MOSFET 22 Amps 1000V
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 159 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара