APT80GA90B, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single

Name: APT80GA90B, Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single
SKU: 10035758
Availability: OutOfStock

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single

Код товара: 10035758

Дата обновления: 28.02.2022 08:20

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка APT80GA90B , Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 8 - Single в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 12 раб. дней

от 833 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание APT80GA90B

Вид монтажа	Through Hole
Вес изделия	38 g
ECCN	EAR99
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Технология	Si

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← M80-4862042 DEMO-AD5700D2Z →